| Оджаев В.Б. | Поклонский Н.А. | Горбачук Н.И. | Лапчук Н.М. | Азарко И.И. | Кисляков Е.Ф. | Садовский П.К. | Сягло А.И. | Челядинский А.Р. | Явид В.Ю. | Наумчик Е.В. |
Фотография

Оджаев Владимир Борисович

Занимаемая должность:Заведующий кафедрой, профессор
Степень, ученое звание:доктор физико-математических наук, профессор
Контактная информация: :комната 521   телефон +375 17 209-52-20     e-mail Odzaev@bsu.by
Читаемые курсы:Физика электропроводящих полимеров

Тенденции в развитии электроники и электронной промышленности

Современные методы исследования конденсированных материалов

Полимеры в электронике

Введение в специализацию
Научная работа:полупроводниковая микро- и наноэлектроника, радиационная физика полупроводников и высокомолекулярных соединений, ЭПР-спектроскопия композиционных материалов и полимеров
Основные публикации:1.Борисов О.М., Литвинов В.В., Оджаев В.Б., Уренев В.И., Фейгенсон А.Л. Явление отрицательного отжига в имплантированных сурьмой слоях кремния.// Вестник БГУ, сер.1 физ., мат., мех., 1980, N1, С.70-71.

2.Гнатович В., Джмурань Р., Квитек И., Новы Ф., Оджаев В.Б., Онгейзер П., Рыбка В., Гоффман И., Елинкова Г., Грецхид Р. Термический и лазерный отжиг кремния, им-плантированного Аs. Pros. of the conf. on Energy Pulse Modif. of Semiconduc. and Relat. Ma-ter., Drezden, GDR, P.1, Zfk-555, Rossendorf bei Dresden, 1984, Р.184-187.

3.Видра М., Гнатович В., Квитек И., Новы Ф., Обрусник П., Оджаев В.Б., Онгейзер П. Микроэлементный анализ анализ PIXE. // Czech. J. Phys., B34 1984, Р.1315-1323.

4.Оджаев В.Б., Исследования имплантированных слоев полупроводников аналитиче-скими методами ядерной физики.// Autoref. disertacni prace k ziskani vedecke hodnosti kand. fyz.-mat. ved. Praha, 1985, FEL CVUT, 16. p.

5.Видра М., Гнатович В., Квитек И., Новы Ф., Обрусник П., Оджаев В.Б., Джму-рань Р., Гоффман И. Исследования дефектов в кремнии с помощью каналирования.// Сzech.J.Phys., B35 1985, Р.465-468.

6.Видра М., Гнатович В., Квитек И., Новы Ф., Обрусник П., Оджаев В.Б., Джмурань Р., Гоффман И., Рыбка В. Использование энергетических заряженных частиц для анали-тических задач. // Chemicke listy N79 1985, S.1017-1030.

7.Елинкова Х., Рыбка В., Оджаев В.Б., Гнатович В., Квитек И., Червена Я. Лазер-ный отжиг кремния, имплантированного висмутом. // Phys.stat.sol. (a) 95(1986), p.511-515.

8.Оджаев В.Б., Сернов С.П., Янченко А.М. Влияние ростовых и термических дефек-тов на пространственное распределение рекомбинационных параметров в кремнии. // Электронная техника, сер.Материалы, вып.3/224, 1987, C.74-76.

9.Елинкова Х., Рыбка В., Оджаев В.Б., Гнатович В., Квитек И., Червена Я. Лазерный отжиг GaAs, имплантированного дуально Si и P ионами.// Czech.J.Phys., B37, 1987, p.919-923.

10.Ефимов В.П., Оджаев В.Б. Роль опережающих показателей при построении модели управления качеством подготовки специалиста в ВУЗе. //Тезисы докл. универ. науч.-метод. конфер. «Актуальные проблемы организации учебного процесса», Минск, 1987, C.76.

11.Кожеро М.В., Ефимов В.Г., Оджаев В.Б. Привлечение элементов производствен-ных ситуаций в учебный спецсеминар. //Деп. в НИИ ВШ, 26.08.1987, N1259-87 деп., 11 с.

12.Аль-Баккур Ф., Дидык А.Ю., Козлов И.П., Оджаев В.Б., Просолович В.С., Сохац-кий А.С. Свойства слоев кремния, созданных имплантацией ионов высоких энергий // Матер. электрон. техн. - 1991. - Сер. 6, N 6. - С. 39-40.

13.Аль-Баккур Ф., Дидык А.Ю., Козлов И.П., Оджаев В.Б., Просолович В.С., Сохац-кий А.С., Толстых В.П. Отжиг радиационных дефектов в кремнии, облученном ионами с энергией 1 МэВ/нуклон // Матер. электрон. техн. - 1991. - Сер. 6, N 6. - С. 34-35.

14.Аль-Баккур Ф., Дидык А.Ю., Козлов И.П., Оджаев В.Б., Петров В.В., Просолович В.С., Сохацкий А.С. Особенности дефектообразования в кремнии при высокоэнергетич-ной имплантации бора // ФТП. - 1991. - Т. 25, N10. - С. 1841-1844.

15.Козлов И.П., Коноплева Р.Ф., Назаркин И.В., Оджаев В.Б., Просолович В.С., Ян-ковский О.Н. ЭПР-спектроскопия ВТСП- керамики YBaCuO, термообработанной в атмо-сфере азота. - Минск, 1992. - 19 с. - Деп. в ВИНИТИ 24.01.92. N 7394-В92.

16.Коноплева Р.Ф., Назаркин И.В., Оджаев В.Б., Просолович В.С., Янковский О.Н. Влияние термообработки ВТСП-керамики YBa Cu O Минск, 1992. - 19 с.-Деп. в ВИНИТИ 24.01.92. N 7394-В92.

17.Аль-Баккур Ф., Дидык А.Ю., Козлов И.П., Оджаев В.Б., Петров В.В., Просолович В.С., Сохацкий А.С., Янковский О.Н. Процессы отжига и перестройки радиационных де-фектов в кремнии, имплантированном высокоэнергетичными ионами бора // ФТП. - 1993. - Т. 27, N 5. - С. 829-831.

18.Козлов И.П., Оджаев В.Б., Попок В.Н., Просолович В.С., Особенности радиацион-ного дефектообразования при двойной ионной имплантации в кремний // Вакуумная тех-ника и технология. - 1994. - Т. 4, N 2. - С. 36-38.

19.Азарко И.И., Козлов И.П., Козлова Е.И., Оджаев В.Б., Пенина Н.М., Рубка В., Ян-ковский О.Н. Ионная имплантация полимерных пленок // Вакуумная техника и техноло-гия. - 1993. - Т.4, N 2. - С. 36-38.

20.Козлов И.П., Оджаев В.Б., Попок В.Н., Просолович В.С., Влияние двойной ионной имплантации B + N и B + Ar на электрические свойства кремния // Вакуумная техника и технология. - 1994. - Т. 4, N 3. - С. 25-28.

21.Popok V., Odzhaev V., Hnatowicz V., Kvitek J., Svorcik V., Rybka V. Defects Forma-tion in the Dual B and N Ions Implanted Silicon //Czechoslovak Journal of Physics. -1994.- V. 44, No. 10. - Р. 949-956.

22.Azarko I.I., Hnatowicz V., Kozlov I.P., Kozlova E.I., Odzhaev V.B. and Popok V.N. EPR-Spectroscopy of the Ion Implanted Polymer Films // Phys. Stat. Sol. (a). - 1994. - V. 146, No.2. - P. K23-K27.

23.Azarko I.I., Karpovich I.A., Kozlov I.P., Kozlova E.I., Odzhaev V.B., Popok V.N., Hnatowicz V., Influence of Ion Implantation on the Properties of Polymer Films // Solid State Communications. - 1995. - V. 95, No.1. - P. 49-51.

24.Odzhaev V.B., Azarko I.I., Karpovich I.A., Kozlov I.P., Popok V.N, Sviridov D.V., Hnatowicz V., Jankovskij O.N., Rybka V., Svorcik V. The Properties of Polyethylene and Polyamide Implanted with B Ions to High Doses // Mater. Letters. - 1995. - V.23. - P. 163-166.

25.Odzhaev V.B., Popok V.N., Cervena J., Hnatowicz V., Kvitek J., Vacik J., Depth Distri-bution of Boron and Radiation Defects in Silicon Dual Implanted with B and N Ions // Phys. Stat. Sol. (a). - 1995. - V. 147, No. 1, - Р. 91-97.

26. Kozlov I.P., Odzhaev V.B., Popok V.N., Hnatowicz V. Annealing of Radiation Defects in Dual Implanted Silicon // Semiconductor Science and Technology. - 1996. - V.11, No.5. - PP. 722-725.

27. Odzhaev V.B., Popok V.N., Prosolovich V.S., Hnatowicz V., Boron Electrical Activation in Dual B + N and B + Ar Implanted Silicon // Applied Physics A. - 1996. - V. A62. - P. 355-358.

28. Popok V.N., Odzhaev V.B., Kozlov I.P., Azarko I.I., Karpovich I.A., Sviridov D.V. Ion Beam Effects in Polymer Films: Structure Evolution of the Implanted Layer // Nucl. Instr. and Meth. B. - 1997. - V.B129. - P.60-64.

29. Оджаев В.Б., Попок В.Н., Карпович И.А., Янковский О.Н., Козлов И.П., Козлова Е.И., Азарко И.И. Перспективы применения имплантированных полимеров в качестве функциональных элементов электроники // Известия белорусской инженерной академии.-1997.- N1(3)/3.-с.214-218.

30. Vacik J., Cervena J., Fink D., Klett R., Hnatowicz V., Popok V., Odzhaev V., High Flu-ence Boron Implantation into Polymers // Radiation Eff. Def. in Solids. - 1997. - V.143. - P.139-156.

31. Sviridov D.V., Odzhaev V.B., Kozlov I.P. Ion-Implanted Polymers, in: Electrical and Op-tical Polymers Systems (Ed. T.Wise). - New York: Marcel Dekker Publ., 1997. - P.387-422.

32. Hnatowicz V., Vacik J., Svorcik V., Rybka V., Popok V., Jankovskij O., Fink D., Klett R. Iodine Diffusion and Trapping in Polyethylene Implanted with 150 keV F and As Ions to Differ-ent Fluences // Nucl. Instr. and Meth. B. - 1996. - V.B114. - P.81-87.

33. Козлов И.П., Оджаев В.Б., Карпович И.А., Попок В.Н., Свиридов Д.В. Оптические свойства ионноимплантированных слоев полимеров // Журн. прикл. спектр. - 1998. - Т.65, № 3.- С. 377-381. Kozlov I.P., Odzhaev V.B., Karpovich I.A., Popok V.N., Sviridov D.V. Opti-cal Properties of Ion-Implanted Polymer Layers // J. Appl. Spectroscopy. - 1998. - V.65, No.3. - P.390-395.

34. Козлов И.П., Оджаев В.Б., Попок В.Н., Азарко И.И., Козлова Е.И. Парамагнитные свойства ионноимплантированных слоев полимеров // Журн. прикл. спектр. - 1998. - Т.65, № 4. - С.562-567. Kozlov I.P., Odzhaev V.B., Popok V.N., Azarko I.I., Kozlova E.I. Paramag-netic Properties of Ion-Implanted Polymer Layers // J. Appl. Spectroscopy. - 1998. - V.65, No.4. - P.583-588.

35. Козлова Е.И., Янковский О.Н., Оджаев В.Б., Козлов И.П., Карпович И.А. Измене-ние электрических характеристик полиэтилена имплантацией и диффузией // Вестник БГУ, серия 1. - 1998. - №3, с.49-53.

36. Карпович И.А., Козлов И.П., Азарко И.И., Свиридов Д.В. Тонкопленочный пере-ключатель - Пат. С1 BY, МПК H 01L 29/51. /. - № 2259 Заявл. 28.11. 1994; Опубл. 30.09.1998 // Афiцыйны бю-летэнь / Дзярж. Пат. Камiтыт Рэсп. Беларусь. - 1998.

37. Оджаев В.Б., Козлов И.П., Попок В.Н., Свиридов Д.В. Ионная имплантация поли-меров. - Мн.: Белгосуниверситет, 1998. - 197 с.

38. Попок В.Н. Оджаев В.Б.Модификация поверхностных слоев полимеров ионной имплантацией // Поверхность. - 1998. - № 6. - С.103-118. Popok V. Odzhaev V. Modification of surface layers of polymers by ion beams // Surface Investigation. – 1999. – V. 14, No.6. – P.843-859.

39. Popok V., Karpovich I., Odzhaev V., Sviridov D. Structure Evolution of Implanted Polymers: Buried Conductive Layers Formation // Nucl. Instr. and Meth. B. - 1999. - V.148. - P. 1106-1110.

40. Vacik J., Hnatowicz V., Cervena J., Perina V., Popok V., Odzhaev V., Fink D. High Flu-ence boron Implantation into Polyimide // Nucl. Instr. and Meth. B. - 1999. - V.148. - P. 1126-1130.

41. Оджаев В.Б. Генерация, взаимодействие и отжиг радиационных дефектов в крем-нии, арсениде галлия и высокомолекулярных соединениях при последовательной ионной имплантации // Автореферат диссертации на соискание ученой степени д.ф.-м.н. Минск. 1999, 36 с.

42. Vacik J., Hnatowicz V., Cervena J., Perina V., Popok V., Odzhaev V., Svorcik V., Rybka V., Arenholz E., Fink D. Annealing behaviour of boron atoms implanted into polyethylenetere-phatalate // Nucl. Instr. and Meth. B. - 2000. - V. 166-167. – P. 637-640.

43. Odzhaev V.B., Popok V.N., Kozlova E.I., Jankovskij O.N., Karpovich I.A. Electrical Properties of Polyethylene Modified by Ion Implantation and Diffusuion // Nucl. Instr. and Meth. B. - 2000. - V. 166-167. – P. 655-659.

44. Popok V.N., Odzhaev V.B., Azarko I.I., Kozlov I.P., Sviridov D.V., Hnatowicz V., Vacik J., Cervena J., Multistage Ion Implantation of Polyamide Films // Nucl. Instr. and Meth. B. - 2000. - V. 166-167. – P. 660-663.

45. Оджаев В.Б., Попок В.Н., Азарко И.И. Физика электропроводящих полимеров: Курс лекций для студентов физического факультета. – Мн.: БГУ, 2000. – 82 с.

46. Popok V.N., Azarko I.I., Odzhaev V.B., Toth A., Khaibullin R.I. High Fluence Ion Beam Modification of Polymer Surfaces: EPR and XPS Study // Nucl. Instr. and Meth. B. - 2001. – V. 178/1-4. – P. 305-310.

47. Odzhaev V.B., Jankovsky O.N. Karpovich I.A, Partyka J., Węgierek P. Electrical proper-ties of polyethylene modified by myltistage ion implantation // Vacuum.-2001.- V.63, №4. P. 581-583.

48. Степанов А.Л., Попок В.Н., Оджаев В.Б. Лазерный отжиг SiO2 стекла с наночасти-цами меди // Журн. прикл. спектр. – 2002. – Т. 69, № 1. – С. 85-89. Stepanov A.L., Popok V.N., Odzhaev V.B. Laser annealing of SiO2 glass with copper nanoparticles // J. Appl. Spec-troscopy – 2002. – V.69, No.1 – P. 97-102.

49. Popok V.N., Khaibullin R.I., Bazarov V.V., Valeev V.F., Hnatowicz V., Mackova A., Odzhaev V.B. Anomalous Depth Distribution of Fe and Co Atoms in Polyimide Implanted to High Fluence // Nucl. Instr. and Meth. B. – 2002. – V. 191, Nos. 1-4. – P. 695-699.

50. Оджаев В.Б., Свиридов Д.В., Карпович И.А., Понарядов В.В. Современные методы исследования конденсированных материалов. Курс лекций для студентов физического и химического факультетов. – Мн.: БГУ, 2003. – 82 с.

51. Азарко И.И., Гончаров В.К., Оджаев В.Б., Петров С.А., Пузырев М.В. Структура алмазоподобных углеродных пленок, синтезированных методом лазерного испарения графита в вакууме // Инженерно-физический журнал. —2004. —Т.77, №4 —С. 79-82.

52. Лукашевич М.Г., Попок В.Н., Оджаев В.Б., Лукашевич С.М., Р.И. Хайбуллин, В.В. Базаров. Электронно-транспортные свойства и переход Андерсена в пленках полиимида, имплантированных ионами кобальта // Доклады НАНБ. – 2004. – Т. 48, № 4. – С. 42-47.

53. Бринкевич Д.И., Оджаев В.Б., Просолович В.С., Янковский Ю.Н. Процессы радиа-ционного дефектообразования в имплантированном иттербием кремнии // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. – 2005. – № 1. – С.35-38.

54. Попок В.Н., Степанов А.Л., Оджаев В.Б. Оптическая спектроскопия и атомная си-ловая микроскопия стекол с наночастицами серебра, синтезированными ионной имплан-тацией // Журн. прикл. спектр. – 2005. – Т. 72, № 2. – 218-223.

55. Azarko I, Kozlova E., Odzhaev V., Yankovsky O., Ignatenko O., Shipilo V. Irradiation of cubic nitride microcrystals of different dopant-faulted structure with neutros of fission spectrum // Vacuum.- 2005. V.78., № 2 (357) – P.525-528.

56. Brinkevich D.I., Odzhaev V.B., Prosolovich V.S., Yankovski Yu.N. Radiation defects formation in silicon at high energy implantation // VACUUM. Surface engineering & vacuum technology. – 2005. – V.78, № 2 (357). – P.251-254.

57. V. N. Popok, V.G. Lukashevich, N. I. Gorbachuk, V. B. Odzaev, R. I. Khaibullin, I. B. Khaibullin. Magnetoresistive effect and impedabce spectroscopy of Co-implanted polyimide// Phys. Stat. Sol. (а), Vol. 203, Is.7, 2006. – Р.1545-1549.

58. В.И.Плебанович, А.И.Белоус, А.Р.Челядинский, В.Б.Оджаев. Образование остаточных нарушений в кремнии, имплантированном ионами углерода и бора. Доклады БГУИР № 2(14), 2006. с.42-48.

59. В.И.Плебанович, А.Р.Челядинский, В.Б.Оджаев. Локализация имплантированных примесей бора и углерода в кремнии. Вестник БГУ, сер.1. №2. 2006. с.16-20.

60. В.И.Плебанович, А.И.Белоус, А.Р.Челядинский., В.Б.Оджаев. Пошаговый метод легирования кремния. Доклады НАН Беларуси. Т.50, №3. 2006. С.36-40.

61. Азарко И. И., Игнатенко О. В., Карпович И. А., Козлова Е. И., Оджаев В. Б., Янков-ский О. Н. Дефектность и примесный состав кубического нитрида бора. // Сборник трудов 2 Международной научной конференции "Материалы и структуры современной электро-ники", серия "Вузовская наука, промышленность, международное сотрудничество", Мн.: БГУ, 2006 г., С. 161-165.

62. Азарко И. И., Дутов А. Г., Карпович И. А., Оджаев В. Б., Толстых П. В. ЭПР-исследование дефектно-примесного состава микропорошков синтетического алмаза. // Сборник трудов 2 Международной научной конференции "Материалы и структуры совре-менной электроники", 5-6 окт. Мн.: БГУ, 2006 г., С. 102-106

63. Modification of magnetic properties ofpolyethyleneterephthalate by iron implanta-tion / M. G. Lukashevich, X. Batlle, A. Labarta, V. N. Popok, V.A. Zhikharev, R. I. Khaibullin, V. B. Odzaev // Nucl. Instr. Meth. B. –2007. –Vol. 257, №1-2. – P. 589-592.

64. Толстых П.В., Пузырев М. В., Азарко И.И.,Оджаев В. Б., Жоховец С.В., Гобш Г. Неразрушающая элипсометрическая методика контроля структуры углеродных пленок // Вестник БГУ. Сер. 1 ., 2007.— №3.— С.22-25.

65. И.И. Азарко, В.К.Гончаров, И.А. Карпович, В. Б.Оджаев, М. В.Пузырев, П.В. Тол-стых ЭПР-исследование алмазоподобных углеродных пленок, формируемых при воздей-ствии лазерного излучения на различные графитовые мишени // Взаимод. излучений с тв. телом: Матер. VII междунар. конф., Минск, 26–28 сент. 2007. — Мн.: Изд. центр БГУ, 2007. — С. 242-244.

66. И. А. Башмаков, В. А. Доросинец, Ф. Н. Капуцкий, Т. Ф. Тихонова, С. М. Лукаше-вич, В. Б. Оджаев. Импедансная спектроскопия углеродного волокна, содержащего на-нокластеры //Перспективные материалы.– 2008. - №1 - С.51-56.

67. V.K.Ksenevich, V.B.Odzaev, D.Seliuta, Z.Martunas, G.Valusis, J.Galibert, A.A.Melnikov, A.D.Wieck, M.E.Kozlov, D.Novitski, V.A.Samuilov. Localization and Non-linear Transport in Single Walled Carbon Nanotubes Fibers //Journal of Applied Physics, 2008, vol. 104, №8. –P.073724(1)-073724(7).

68. В.И.Плебанович, А.И. Белоус, А.Р.Челядинский, В.Б. Оджаев. Создание бездисло-кационных ионно-легированных слоев кремния. ФТТ. 2008. т.50. в.8. с. 1378-1382.

69. I Azarko, O. Ignatenko, E. Kozlova, V. Odzhaev, N. Shempel , O. Yankovsky. Processes of cubic boron nitride crystallization in B-N-Mg-O system // Przeglad Elektrotechniczny. – 2008. –R.84, №3.– P.162-164.

70. И. А. Башмаков, В. C. Волобуев, В. А. Доросинец Ф. Н. Капуцкий, Т. Ф. Тихонова, C. М. Лукашевич, В. Б. Оджаев. Импедансная спектроскопия углеродного волокна, со-держащего нанокластеры магнитных и немагнитных металлов. Материалы первой между-народной научной конференции «Нано - 2008». Минск: Белорусская наука, 2008. 485 с.

71. В. C. Волобуев, М.Г. Лукашевич, А.А.Мельников, Р.И.Хайбуллин, В.Ф.Валеев, А. Wieck, В.Б. Оджаев. Электронно-транспортные свойства нанокомпозитных материалов, синтезированных ионной имплантацией магнитных и немагнитных ионов в полимерную пленку Материалы первой международной научной конференции «Нано - 2008». Минск: Белорусская наука, 2008. 468 с.

72. А.И. Белоус, Ю.Б. Васильев, В.А.Емельянов, В.Б. Оджаев, В.И.Плебанович, П.К.Садовский, А.Р.Челядинский. Структурные и электрофизические параметры сильно легированных слоев кремния n-типа, созданных методом ионной имплантации. Кремний-2008. Москва. Черноголовка. 2008.– С.115.

73. Н.М. Лапчук, В.Б. Оджаев, Н.А.Поклонский, Д.В.Свиридов. Структурированные углеродные материалы: кластеры, нанотрубки, ионно-имплантированные полимеры и ал-мазы // Вестник БГУ. Сер. 1 ., 2009.— №1.— С.4-14.

74. Оджаев, В.Б. Модификация приповерхностных слоёв полиэтилентерефталата имплантацией ионов никеля / Д.И. Бринкевич, С.А. Вабищевич, В.Ф. Валеев, В.С. Волобуев, Ф. А. Нажим, М.Г. Лукашевич, Р.И. Хайбуллин, В.Б. Оджаев // Материалы 8-й международной конференции ВИТТ-2009,. Минск, Беларусь 23-25 сентября, 2009 г. С. 148 -150.

75. Odzhaev, V.B. AFM, ESR and optic study of ions implanted photoresist /V.S. Volobuev, F.A. Nazim, P.V. Zukowski, M.G. Lukashevich, V.B. Odzhaev // 6th International Conference Zakopane, Poland, June 23 – 26, 2009. p.1.

76. Odzhaev, V.B. Magnetoresistive effect in PET films with iron nanoparticles synthesised by ion implantation / M.G. Lukashevich, V.N. Popok, V.S. Volobuev, A.A. Melnikov, R.I.Khaibullin, V.V. Bazarov, A. Wieck and V.B. Odzhaev // The Open Applied Physics Journal. 2009, Vol 2, 00. (принята в печать).

77. Оджаев, В.Б. Особенности электрических свойств пленок полиимида, имплантиро-ванных ионами меди и кобальта / Ф.А. Нажим, М.Г. Лукашевич, В.И. Нуждин , Р.И. Хай-буллин, В.Б. Оджаев // Известия НАН Б (принята к опубликованию).

78. И.И. Азарко, О.В. Игнатенко, В.Б.Оджаев, М. В.Пузырев, О.Н. Янковский Иссле-дование нитридов бора и лития, подвергнутых воздействию импульсами лазерного излу-чения // Взаимод. излучений с тв. телом: Матер. VIII междунар. конф., Минск, 23–25 сент. 2009. — Мн.: Изд. центр БГУ, 2009. — С. 138-139.

79. Белоус А.И., Васильев Ю.Б., Оджаев В.Б., Плебанович В.И.,Садовский П.К., Челядинский А.Р. Пошаговый метод ионного легирования кремния. // Тезисы докладов VI Международной конференции и V Школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе. Кремний-2009. Новосибирск. 7-10 июля 2009. С. 168-169.

80. Белоус А.И., Васильев Ю.Б., Плебанович В.И., Оджаев В.Б., Садовский П.К., Челядинский А.Р. Дефекты структуры в имплантированных слоях кремния и качество сформированных на них слоев SiO2 // Материалы 8-ой Международной конференции “Взаимодействие излучений с твердым телом”. ВИТТ-2009. 23-25 сентября 2009 г. Минск. Изд. Центр БГУ. 2009. С. 61-63.

81. М. Г. Лукашевич, В. Б. Оджаев, Н. И. Горбачук, М. И. Ивановская, Д. А. Котиков, Ю. В. Сидоренко «Способ измерения влажности» - Заявка № а20091775 от 11.12.2009 г. на изобретение.

82. Оджаев, В.Б. Зависимость электропроводности пленочных композитов SiO2–γ-Fe2O3 во влажном воздухе /А. В. Адакимчик, Н. И. Горбачук, М. И. Ивановская, Д. А. Ко-тиков, М. Г. Лукашевич, В. Б. Оджаев, Ю. В. Сидоренко //Журнал физической химии, 2010, том 84, -№ 4, с. 1–6.
Дополнительно:Родился 13 сентября 1955 г. в г. Слуцке Минской области. Окончил с отличием физический факультет БГУ в 1977 г. Работал инженером, ассистентом, младшим и старшим научным сотрудником, заведующим научно-исследовательской лабораторией, начальником научно-исследовательской части, проректором БГУ, с 2004 года – заведующий кафедрой физики полупроводников и наноэлектроники БГУ. Кандидат физико-математических наук (1985 г.), доктор физико-математических наук (1999 г.), профессор (2000 г.). Автор 200 публикаций, в том числе четырех монографий и курсов лекций. Подготовил двух кандидатов наук, является членом специализированного Совета по защите докторских диссертаций, читает курсы лекций студентам специализаций «микроэлектроника», «физика полупроводников» и «новые материалы».

Оджаев В.Б. известный ученый в области полупроводниковой микро- и наноэлектроники, радиационной физики полупроводников и высокомолекулярных соединений, ЭПР-спектроскопии композиционных материалов. Является соруководителем научной школы по физике полупроводников и наноэлектроники. Под его руководством и при его непосредственном участии проведен комплекс теоретических и экспериментальных исследований процессов взаимодействия высокоэнергетичных частиц с поверхностью полупроводников и полимеров, позволивший разработать унифицированные физические модели управления примесно-дефектным взаимодействием в конденсированных средах. Издано четыре сбоpника тpудов под его pедакцией. Постоянно руководит научно-исследовательскими работами по программам ГКПНИ, с предприятиями Министерства промышленности, Белнефтехима и проектов в рамках Республиканских программ фундаментальных исследований. Соруководитель с белорусской стороны совместного с Рурским университетом (Бохум, Германия) проекта «Исследования наноструктур в конденсированных материалах». Член редколлегии научного журнала PAKGOS (Республика Польша). Сопредседатель международных оргкомитетов научных конференций NEET (Республика Польша), «Материалы и структуры современной электроники» (Минск). Награжден Почетными Грамотами Совета Министров Республики Беларусь, Министерства образования, Белгосуниверситета, НПО «Интеграл», знаком Министерства образования «Отличник образования», лауреат премии имени А.Н.Севченко в 2008 г.