| Оджаев В.Б. | Поклонский Н.А. | Горбачук Н.И. | Лапчук Н.М. | Азарко И.И. | Кисляков Е.Ф. | Садовский П.К. | Сягло А.И. | Челядинский А.Р. | Явид В.Ю. | Наумчик Е.В. |
Фотография

Поклонский Николай Александрович

Занимаемая должность:профессор
Степень, ученое звание:доктор физико-математических наук, профессор
Контактная информация: :комната 538   телефон 209-51-10     e-mail poklonski@bsu.by; poklonski@tut.by
Читаемые курсы:Теория групп симметрии,

Низкоразмерные системы,

Равновесные состояния в кристаллах,

Статистическая физика полупроводников,

Электроника наноструктур
Научная работа:физика и техника полупроводников; наноэлектроника; электронный спиновый резонанс; физика углеродных наноструктур
Основные публикации:Список основных публикаций



1. Подвижность электронов и дырок в полупроводниках с многозарядными дефектами / Н.С. Минаев, Н.А. Поклонский, В.Ф. Стельмах, В.Д. Ткачев // ФТП.— 1974.— Т. 8, № 6.— С. 1076—1082.

2. Screening of electrostatic fields in semiconductors by multicharged defects / N.A. Poklonskii, V.F. Stelmakh, V.D. Tkachev, S.V. Voitikov // Phys. Stat. Sol. (b).— 1978.— V. 88, № 2.— P. K165—K168.

3. Poklonski N.A., Stelmakh V.F. Screening of electrostatic fields in crystalline semiconductors by electrons hopping over defects // Phys. Stat. Sol. (b).— 1983.— V.117, № 1.— P. 93—99.

4. Климкович Б.В., Поклонский Н.А., Стельмах В.Ф. Прыжковая электропроводность на переменном токе в многодолинном полупроводнике // ФТП.— 1983.— Т. 17, № 9.— С. 1718—1719.

5. Климкович Б.В., Поклонский Н.А., Стельмах В.Ф. Прыжковое магнитосопротивление на переменном токе // ФТП.— 1983.— Т. 17, № 5.— С. 889—892.

6. Климкович Б.В., Поклонский Н.А., Стельмах В.Ф. Особенности низкотемпературной проводимости p-Ge // Изв. вузов. Физ.— 1984.— Т. 27, № 5.— С. 61—64.

7. Поклонский Н.А. Экранирование электростатического поля в ковалентных кристаллах с точечными дефектами // Изв. вузов. Физ.— 1984.— Т. 27, № 11.— С. 41—43.

8. Говор Л.В., Добрего В.П., Поклонский Н.А. Концентрационная зависимость термической энергии ионизации атомов галлия в кристаллах германия // ФТП.— 1984.— Т. 18, № 11.— C. 2075—2077.

9. Климкович Б.В., Поклонский Н.А., Стельмах В.Ф. Прыжковая электропроводность на переменном токе ковалентных полупроводников с глубокими дефектами ФТП.— 1985.— Т. 19, № 5.— C. 848—852.

10. Климкович Б.В., Поклонский Н.А., Стельмах В.Ф. Температурная зависимость прыжковой электропроводности на переменном токе слабо компенсированных полупроводников // ФТП.— 1985.— T. 19, № 5.— C. 853—857.

11. Климкович Б.В., Поклонский Н.А., Стельмах В.Ф. Высокочастотное прыжковое магнитосопротивление слабо компенсированного n-германия в слабых и промежуточных магнитных полях ФТП.— 1985.— T. 19, № 7.— C. 1235—1239.

12. Klimkovich В.V., Poklonski N.A., Stelmakh V.F. The temperature dependence of the AC hopping conductivity of lightly compensated semiconductors // Phys. Stat. Sol. (b).— 1986.— V. 134, № 2.— P. 763—770.

13. Инфранизкочастотные автоколебания тока в поликристаллическом кремнии / В.А. Доросинец, Н.А. Поклонский, В.А. Самуйлов, В.Ф. Стельмах // ФТП.— 1988.— Т. 22, № 4.— С. 761—763.

14. Митянок В.В., Поклонский Н.А. Релятивистское электростатическое поле проводника с постоянным током // ЖТФ.— 1993.— Т. 63, № 1.— С. 189—191.

15. Влияние рентгеновского излучения на электропроводность поликристаллического йодида серебра / B.C. Гурин, Н.А. Поклонский, Н.И. Горбачук, И.И. Колковский // ЖТФ.— 1996.— Т.66, № 6.— С. 182—184.

16. Поклонский Н.А., Сягло А.И., Боровик Ф.Н. Квазиклассический расчет сужения запрещенной зоны кремния при сильном легировании // ФТП.— 1996.— Т. 30, № 10.— С. 1767—1773.

17. Поклонский Н.А., Сягло А.И. Квазиклассический расчет уровня Ферми и сужения запрещенной энергетической зоны в кристаллических полупроводниках при сильном легировании // ЖПС.— 1997.— Т. 64, № 3.— С. 367—373.

18. Поклонский Н.А., Лопатин С.Ю. Квадратичное по полю электрическое поле контура сверхпроводящая катушка-резистор // Письма в ЖТФ.— 1998.— Т. 24, № 2.— С. 7—11.

19. Поклонский Н.А., Лопатин С.Ю. Стационарная прыжковая проводимость по многозарядным примесным атомам в кристаллах // ФТТ.— 1998.— Т. 40, № 10.— С. 1805—1809.

20. Ionized impurity scattering of charge carriers in crystalline semiconductors / N.A. Poklonski, A.V. Denisenko, S.Yu. Lopatin, A.I. Siaglo // Phys. Stat. Sol. (b).— 1998.— V. 206, № 2.— P. 713—721.

21. Поклонский Н.А., Сягло А.И. Об электростатических моделях фазового перехода диэлектрик-металл в кристаллических полупроводниках с водородоподобными примесями // ФТТ.— 1998.— Т. 40, № 1.— С. 147—151.

22. Горбачук Н.И., Поклонский Н.А., Потоцкий И.В. Композитные материалы на основе Si/SiO2, полученные золь-гель методом // Изв. вузов. Материалы электронной техники.— 1998.— № 2.— С. 26—28.

23. Поклонский Н.А., Сягло А.И., Бискупски Г. Модель зависимости термической энергии ионизации примесей от их концентрации и компенсации в полупроводниках // ФТП.— 1999.— Т. 33, №4.— С. 415—419.

24. Поклонский Н.А., Сягло А.И. Электростатическая модель энергетической щели между зонами Хаббарда атомов бора в кремнии // ФТП.— 1999.— Т. 33, № 4.— С. 402—404.

25. Current pulses and high-frequency oscillations in a-Si/Si(p)/Si(n) heterojunction device / V.A. Dorosinets, V.A. Samuilov, N.A. Poklonski, K.G. Kyritsi, A.N. Anagnostopoulos, G.L. Bleris, A. Čenys // Semicond. Sci. Technol.— 1999.— V. 14, № 10.— P. 897—900.

26. Особенности СВЧ-фотопроводимости природного алмаза в спектральной области 200﷓250 nm / А.Г. Захаров, Н.А. Поклонский, В.С. Вариченко, А.Г. Гонтарь // ФТТ.— 2000.— Т. 42, № 4.— С. 647—651.

27. Поклонский Н.А., Лопатин С.Ю. Модель прыжковой и зонной фотопроводимости на постоянном токе в легированных кристаллах // ФТТ.— 2000.— Т. 42, № 2.— С. 218—223.

28. Полносимметричные колебания фуллерена С60 / О.Н. Бубель, С.А. Вырко, Е.Ф. Кисляков, Н.А. Поклонский // Письма в ЖЭТФ.— 2000.— Т. 71, № 12.— С. 741—744.

29. Electrical properties of an a-Si/Si(p)/Si(n) heterojunction device / V.A. Dorosinets, V.A. Samuilov, N.A. Poklonski, A. Belous, K.G. Kyritsi, A.N. Anagnostopoulos, G.L. Bleris, R.L. Carter, A. Čenys // Semicond. Sci. Technol.— 2000.— V. 15, № 10.— P. 980—984.

30. Захаров А.Г., Поклонский Н.А., Вариченко В.С. Сверхвысокочастотная фотопроводимость левитирующих над природным алмазом электронов // ЖТФ.— 2000.— Т. 79, № 10.— C. 95—101.

31. Модель электронной структуры наполненной металлом углеродной нанотрубки / Н.А. Поклонский, Е.Ф. Кисляков, Г.Г. Федорук, С.А. Вырко // ФТТ.— 2000.— Т. 42, № 10.— С. 1911—1916.

32. Поклонский Н.А., Лопатин С.Ю., Забродский А.Г. Решеточная модель прыжковой проводимости по ближайшим соседям: применение к нейтронно-легированному Ge:Ga // ФТТ.— 2000.— Т. 42, № 3.— С. 432—439.

33. Поклонский Н.А., Сягло А.И. Электростатическая модель изменения энергетической щели и формы линии фотолюминесценции 2D слоя GaAs/AlGaAs при высоком уровне возбуждения // ФТТ.— 2001.— Т. 43, № 1.— С. 152—158.

34. Одномерный квантовый транспорт в наноструктуре из молекул фталоцианина свинца / Н.А. Поклонский, Е.Ф. Кисляков, Д.И. Сагайдак, А.И. Сягло, Г.Г. Федорук // Письма в ЖТФ.— 2001.— Т. 27, № 5.— С. 17—23.

35. Поклонский Н.А., Потоцкий И.В., Горбачук Н.И. Парамагнитные центры в золь–гель ксерогелях SiO2, введенные рентгеновским облучением // Неорганические материалы.— 2001.— Т. 37, № 5.— С. 577—582.

36. Поклонский Н.А., Сягло А.И., Вырко С.А. Аналог эффекта Оже при излучательном распаде триона в квантовой яме // ЖПС.— 2001.— Т. 68, № 3.— С. 287—290.

37. Поклонский Н.А., Лапчук Т.М. Горбачук Н.И. Измерение методом ЭСР размагничивающего поля на поверхности металлических образцов // ЖПС.— 2001.— Т. 68, № 4.— С. 419—422.

38. Поклонский Н.А., Горбачук Н.И. Электронный парамагнитный резонанс перколяционных кластеров сажи в полиэтилене // ЖПС.— 2001.— Т. 68, № 5.— С. 594—598.

39. Горбачук Н.И., Гурин В.С., Поклонский Н.А. Влияние влагосодержания на электропроводность ксерогелей SiO2/LiCl // Физика и химия стекла.— 2001.— Т. 27, № 6.— С. 762—771.

40. Поклонский Н.А., Лопатин С.Ю. Решеточная модель термоэдс при прыжковой проводимости: применение к нейтронно-легированному кристаллическому германию // ФТТ.— 2001.— Т. 43, № 12.— С. 2126—2134.

41. Кулоновская дисторсия карбододекаэдра C202+ / Н.А. Поклонский, Е.Ф. Кисляков, О.Н. Бубель, С.А. Вырко // ЖПС.— 2002.— Т.69, № 3.— С. 283—286.

42. Поклонский Н.А., Вырко С.А. Электростатическая модель краевой люминесценции сильно легированных вырожденных полупроводников // ЖПС.— 2002.— Т. 69, № 3.— С. 375—382.

43. Поклонский Н.А., Митянок В.В., Вырко С.А. Соотношение Рамо–Шокли для RCL-цепи // Письма в ЖТФ.— 2002.— Т. 28, № 15.— С. 33—36.

44. Поклонский Н.А., Вырко С.А. Нелинейное экранирование иона легирующей примеси на металлической стороне фазового перехода Мотта в полупроводниках // ФТТ.— 2002.— Т. 44, № 7.— С. 1185—1189.

45. Поклонский Н.А., Вырко С.А. Экранирование электрического поля и квазистатическая емкость индуцированного заряда в полупроводниках с прыжковой электропроводностью // Изв. вузов. Физика.— 2002.— Т. 45, № 7.— С. 70—75.

46. A semiclassical approach to Coulomb scattering of conduction electrons on ionized impurities in nondegenerate semiconductors / N.A. Poklonski, S.A. Vyrko, V.I. Yatskevich, A.A. Kocherzhenko // Journal of Applied Physics.— 2003.— V. 93, № 12.— P. 9749—9752.

47. Моделирование температурной зависимости энергии ионизации водородоподобных примесей в полупроводниках: применение к трансмутационно легированному Ge:Ga / Н.А. Поклонский, С.А. Вырко, А.Г. Забродский, С.В. Егоров // ФТТ.— 2003.— Т. 45, № 11.— С. 1954—1960.

48. Поклонский Н.А., Вырко С.А., Забродский А.Г. Электростатические модели концентрационных фазовых переходов изолятор–металл и металл–изолятор в кристаллах Ge и Si с водородоподобными примесями // ФТТ.— 2004.— Т. 46, № 6.— С. 1071—1075.

49. Поклонский Н.А., Вырко С.А., Кочерженко А.А. Соотношения Рамо–Шокли для последовательной RCL-цепи // ЖТФ.— 2004.— Т. 74, № 11.— С. 75—78.

50. Поклонский Н.А., Лапчук Н.М., Лапчук Т.М. Инвертированный сигнал ЭПР содержащих азот дефектов в монокристалле синтетического алмаза при комнатной температуре // Письма в ЖЭТФ.— 2004.— Т. 80, № 12.— С. 880—883.

51. Электропроводность композиционных материалов на основе мелкодисперсного кремния вблизи перехода диэлектрик–металл / Н.А. Поклонский, Н.И. Горбачук, И.В. Потоцкий, Д.А. Трофимчук // Неорганические материалы.— 2004.— Т. 40, № 11.— С. 1293—1298.

52. Поклонский Н.А., Вырко С.А., Забродский А.Г. Флуктуационная модель высокочастотной прыжковой электропроводности умеренно компенсированных полупроводников с водородоподобными примесями // ФТТ.— 2005.— Т. 47, № 7.— С. 1195—1202.

53. Наноструктурирование кристаллических зерен природного алмаза ионизирующим излучением / Н.А. Поклонский, Т.М. Лапчук, Н.И. Горбачук, В.А. Николаенко, И.В. Бачучин // ФТП.— 2005.— Т. 39, № 8.— С. 931—934.

54. Гидрогенизированные нанопористые алмазные пленки / А.В. Хомич, В.П. Варнин, И.Г. Теремецкая, Н.А. Поклонский, Н.М. Лапчук, А.О. Коробко // Неорганические материалы.— 2005.— Т. 41, № 8.— С. 928—934.

55. Инвертирование сигнала электронного спинового резонанса P1-центра в кристалле синтетического алмаза / Н.А. Поклонский, Т.М. Лапчук, В.Г. Баев, Г.А. Гусаков // ЖПС.— 2006.— Т.73, № 1.— С. 9—12.

56. Поклонский Н.А., Вырко С.А., Забродский А.Г. Дипольная модель сужения энергетической щели между зонами Хаббарда в слабо компенсированных полупроводниках // ФТП.— 2006.— Т. 40, № 4.— С. 400—405.

57. Поклонский Н.А. Инвертирование при нормальных условиях сигнала электронного парамагнитного резонанса P1-центра в монокристалле синтетического алмаза // Письма в ЖТФ.— 2006.— Т. 32, № 7.— С. 61—68.

58. Отрицательная емкость (импеданс индуктивного типа) кремниевых p+–n-переходов, облученных быстрыми электронами / Н.А. Поклонский, С.В. Шпаковский, Н.И. Горбачук, С.Б. Ластовский // ФТП.— 2006.— Т. 40, № 7.— С. 824—828.

59. Simulation of dc conductance of two-dimensional heterogeneous system: application to carbon wires made by ion irradiation on polycrystalline diamond / N.A. Poklonski, A.A. Kocherzhenko, A.I. Benediktovitch, V.V. Mitsianok, A.M. Zaitsev // Phys. Stat. Sol. (b).— 2006.— V. 243, № 6.— P. 1212—1218.

60. Поклонский Н.А., Лапчук Н.М., Коробко А.О. Магнитное упорядочение в кристаллическом Si, имплантированном ионами Co промежуточных флюенсов // ФТП.— 2006.— Т. 40, № 10.— С. 1181—1184.

61. Поклонский Н.А., Вырко С.А., Забродский А.Г. Квазистатическая емкость слабо компенсированного полупроводника с прыжковой электропроводностью (на примере p-Si:B) ФТП.— 2007.— Т. 41, № 1.— С. 31—37.

62. Спектры инфракрасного поглощения каменных углей разной степени углефикации / С. Мунхцэцэг, А.В. Хомич, Н.А. Поклонский, Ж. Даваасамбуу // ЖПС.— 2007.— Т. 74, № 3.— С. 304—309.

63. Оптические и парамагнитные свойства имплантированных водородом природных алмазов / А.В. Хомич, Н.А. Поклонский, Н.М. Лапчук, Р.А. Хмельницкий, В.А. Дравин, С. Мунхцэцэг // ЖПС.— 2007.— Т. 74, № 4.— С. 485—490.

64. Nitrogen-doped chemical vapour deposited diamond: A new material for room-temperature solid state maser / N.A. Poklonski, N.M. Lapchuk, A.V. Khomich, F.-X. Lu, W.-Zh. Tang, V.G. Ralchenko, I.I. Vlasov, M.V. Chukichev, Sambuu Munkhtsetseg // Chin. Phys. Lett.— 2007.— V. 24, № 7.— P. 2088—2090.

65. Управление движением наноэлектромеханических систем на основе углеродных нанотрубок / О.В. Ершова, Ю.Е. Лозовик, А.М. Попов, О.Н. Бубель, Н.А. Поклонский, Е.Ф. Кисляков // ФТТ.— 2007.— Т. 49, № 10.— С. 1914—1918.

66. Поклонский Н.А., Вырко С.А., Забродский А.Г. Эффект поля и электрическая емкость кристаллов кремния при прыжковой проводимости по точечным радиационным дефектам, “локализующим” уровень Ферми // ФТП.— 2007.— Т. 41, № 11.— С. 1317—1323.

67. A comparison of two-particle models for conduction electron scattering on hydrogen-like impurity ions in non-degenerate semiconductors / N.A. Poklonski, A.A. Kocherzhenko, S.A. Vyrko, A.T. Vlassov // Physica Status Solidi (b).— 2007.— V. 244, № 10.— P. 3703—3710.

68. Interwall conductance in double-walled armchair carbon nanotubes / N.A. Poklonski, Nguyen Ngoc Hieu, E.F. Kislyakov, S.A. Vyrko, A.I. Siahlo, A.M. Popov, Yu.E. Lozovik // Phys. Lett. A.— 2008.— V. 372, № 35.— P. 5706—5711.

69. Поклонский Н.А., Вырко С.А., Забродский А.Г. Расчет электрической емкости самокомпенсированных полупроводников с межцентровыми прыжками одного и двух электронов (на примере кремния с радиационными дефектами) // ФТП.— 2008.— Т. 42, № 12.— С. 1420—1425.

70. Управление движением наноэлектромеханических систем на основе углеродных нанотрубок с помощью электрического поля / О.В. Ершова, Ю.Е. Лозовик, А.М. Попов, О.Н. Бубель, Е.Ф. Кисляков, Н.А. Поклонский, А.А. Книжник, И.В. Лебедева // ЖЭТФ.— 2008.— Т. 134, № 4(10).— С. 762—771.

71. Uniaxially deformed (5,5) carbon nanotube: Structural transitions / N.A. Poklonski, E.F. Kislyakov, Nguyen Ngoc Hieu, O.N. Bubel’, S.A. Vyrko, A.M. Popov, Yu.E. Lozovik // Chem. Phys. Lett.— 2008.— V. 464, № 4-6.— P. 187—191.

72. NEMS based on carbon nanotube: New method of control / O.V. Ershova, Yu.E. Lozovik, A.M. Popov, O.N. Bubel’, E.F. Kislyakov, N.A. Poklonski // Fullerenes, Nanotubes and Carbon Nanostructures.— 2008.— V. 16, № 5-6, P. 374—378.

73. Electrical properties of silicon diodes with p+n junctions irradiated with 197Au+26 swift heavy ions / N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk, S.V. Shpakovski, A.V. Petrov, S.B. Lastovskii, D. Fink, A. Wieck // Nucl. Instr. and Meth. B.— 2008.— V. 266, № 23.— P. 5007—5012.

74. A model of ionization equilibrium and Mott transition in boron doped crystalline diamond / N.A. Poklonski, S.A. Vyrko, O.N. Poklonskaya, A.G. Zabrodskii // Phys. Stat. Sol. (b).— 2009.— V. 246, № 1.— P. 158—163.

75. Оптические и парамагнитные свойства облученных электронами и отожженных кристаллов синтетического алмаза / Н.А. Поклонский, Г.А. Гусаков, В.Г. Баев, Н.М. Лапчук // ФТП.— 2009.— Т. 43, № 5.— С. 595—603.

76. Electronic energy band structure of uniaxially deformed (5,5) armchair carbon nanotube / N.A. Poklonski, E.F. Kislyakov, Nguyen Ngoc Hieu, O.N. Bubel’, S.A. Vyrko, Tran Cong Phong // Molecular Simulation.— 2009.— V. 35, № 8.— P. 681—684.

77. Poklonski N.A., Vyrko S.A., Zabrodskii A.G. Model of hopping dc conductivity via nearest neighbor boron atoms in moderately compensated diamond crystals // Solid State Commun.— 2009.— V. 149, № 31-32.— P. 1244—1249.

78. Kinetics of reverse resistance recovery of silicon diodes: the role of the distance the metallurgical p+n-junction-defect layer formed by 250 MeV krypton implantation / N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk, S.V. Shpakovski, V.A. Filipenia, V.A. Skuratov, A. Wieck // Physica B.— 2009.— V. 404, № 23-24.— P. 4667—4670.



79. Поклонский Н.А., Вырко С.А., Лапчук Н.М. Полупроводники: Основные понятия.— Мн.: БГУ, 2002.— 155 с.

80. Поклонский Н.А. Ионизационное равновесие и прыжковая электропроводность в легированных полупроводниках.— Мн.: Изд. центр БГУ, 2004.— 195 с.

81. Емкость и электропроводность полупроводниковых структур на переменном токе: Учебно-методическое пособие по спецпрактикуму “Физика полупроводниковых приборов” / Н.А. Поклонский, Н.И. Горбачук, Т.М. Лапчук, Д.А. Кириленко.— Мн.: БГУ, 1997.— 62 с.

82. Четырехзондовый метод измерения электрического сопротивления полупроводниковых материалов: Учебно-методическое пособие по спецпрактикуму “Физика полупроводниковых материалов и приборов” / Н.А. Поклонский, С.С. Белявский, С.А. Вырко, Т.М. Лапчук.— Мн.: БГУ, 1998.— 46 с.

83. Поклонский Н.А. Точечные группы симметрии.— Мн.: БГУ, 2003.— 215 с.

84. Поклонский Н.А., Горбачук Н.И. Методические указания по структуре и оформлению дипломных и курсовых работ.— Мн.: БГУ, 2003.— 48 с.

85. Поклонский Н.А., Горбачук Н.И., Лапчук Н.М. Физика электрического контакта металл/полупроводник: Учебное пособие по спецпрактикуму “Физика полупроводниковых приборов”.— Мн.: БГУ, 2003.— 51 с.

86. Поклонский Н.А., Горбачук Н.И. Основы импедансной спектроскопии композитов.— Мн.: БГУ, 2005.— 130 с.

87. Поклонский Н.А., Вырко С.А., Поденок С.Л. Статистическая физика полупроводников.— М.: КомКнига, 2005.— 264 с.
Дополнительно:Н.А. Поклонский, родился 14 августа 1949 г. в д. Городок Узденского р-на Минской обл., белорус. После окончания физического факультета Белорусского государственного университета в 1971 г. работал в БГУ и в НИИ прикладных физических проблем при БГУ. После окончания очной аспирантуры БГУ в 1976 г. работал в НИИ ПФП им. А.Н. Севченко в лаборатории электронных методов экспериментальной физики. С 1993 г. работает на кафедре физики полупроводников и наноэлектроники БГУ. В 1982 г. им защищена кандидатская диссертация, а в 2001 г. докторская диссертация по теме "Статическое экранирование и прыжковый перенос зарядов в полупроводниках". В 2003 г. присвоено ученое звание профессора. Под его руководством защищено 5 кандидатских диссертаций. В 2008 г. присуждена премия имени А.Н. Севченко Белорусского государственного университета.