| Оджаев В.Б. | Поклонский Н.А. | Горбачук Н.И. | Лапчук Н.М. | Азарко И.И. | Кисляков Е.Ф. | Садовский П.К. | Сягло А.И. | Челядинский А.Р. | Явид В.Ю. | Наумчик Е.В. |
Фотография

Горбачук Николай Иванович

Занимаемая должность:доцент
Степень, ученое звание:кандидат физико-математических наук (2002); доцент (2006)
Контактная информация: :комната 536   телефон (+375-17)209-51-10, в. 62-46     e-mail gorbachuk@bsu.by
Читаемые курсы:Генерационно-рекомбинационные процессы в полупроводниках,

Основы импедансной спектроскопии композитов: избранные главы физики и техники полупроводников,

Неравновесные процессы в полупроводниках,

Физические основы полупроводниковой оптоэлектроники
Научная работа:Физика процессов переноса зарядов в неупорядоченных гетерогенных системах, импедансная спектроскопия композиционных материалов и барьерных структур микроэлектроники, электронный парамагнитный резонанс углеродных и кремниевых наноструктурированных материалов
Основные публикации:1. Поклонский Н.А., Горбачук Н.И. Основы импедансной спектроскопии композитов: курс лекций. —Мн.: БГУ, 2005. — 130 с.

2. Поклонский Н.А., Горбачук Н.И., Лапчук Н.М. Физика электрического контакта ме-талл/полупроводник: Учебное пособие по спецпрактикуму “Физика полупроводниковых приборов”. —Мн.: БГУ, 2003.— 51 с.

3. Емкость и электропроводность полупроводниковых структур на переменном токе: Учеб-ное пособие по спецпрактикуму “Физика полупроводниковых приборов”/ Н.А. Поклон-ский, Н.И. Горбачук, Т.М. Лапчук, Д.А. Кириленко. —Мн.: Белгосуниверситет, 1997. —61 с.

4. Гурин В.С., Поклонский Н.А., Горбачук Н.И., Колковский И.И. Влияние рентгеновского излучения на электропроводность поликристаллического иодида серебра // ЖТФ. —1996. —Т. 66, № 7. —С. 182—184.

5. Горбачук Н.И., Поклонский Н.А., Потоцкий И.В. Композитные материалы на основе Si/SiO2, полученные золь–гель методом // Известия вузов. Материалы электронной тех-ники. —1998. —№ 2. —С. 26—28.

6. Поклонский Н.А., Горбачук Н.И. Электропроводность неоднородного перколяционного кластера в полимерном композите // Материалы, технологии, инструменты. —2001. —Т. 6, № 1. —С. 45—48.

7. Поклонский Н.А., Потоцкий И.В., Горбачук Н.И. Парамагнитные центры в золь–гель ксерогелях SiO2, введенные рентгеновским облучением // Неорганические материалы. —2001. —Т. 37, № 5. —С. 577—582.

8. Поклонский Н.А., Лапчук Т.М., Горбачук Н.И. Измерение методом ЭСР размагничиваю-щего поля на поверхности металлических образцов // ЖПС. —2001. —Т. 68, № 4. —С. 419—422.

9. Поклонский Н.А., Горбачук Н.И. Электронный парамагнитный резонанс перколяционных кластеров сажи в полимере // ЖПС. —2001. —Т. 68, № 5. —С. 594—598.

10. Горбачук Н.И., Гурин В.С., Поклонский Н.А. Влияние влагосодержания на электропро-водность ксерогелей SiO2/LiCl // Физика и химия стекла. —2001. —Т. 27, № 6. —С. 762—771.

11. Электропроводность композиционных материалов на основе мелкодисперсного кремния вблизи перехода диэлектрик–металл / Н.А. Поклонский, Н.И. Горбачук, И.В. Потоцкий, Д.А. Трофимчук // Неорганические материалы. —2004. —Т. 40, № 11. —С. 1293—1298.

12. Автоматизированный контроль инжектированного в базу заряда и времени восстановле-ния обратного сопротивления мощных быстродействующих диодов / Н.А. Поклонский, С.В. Шпаковский, Н.И. Горбачук, А.А. Шандицев // Вестн. Белорус. гос. ун-та. Сер. 1.— 2005.— № 2.— С. 18—22.

13. Наноструктурирование кристаллических зерен природного алмаза ионизирующим излу-чением / Н.А. Поклонский, Т.М. Лапчук, Н.И. Горбачук, В.А. Николаенко, И.В. Бачучин // ФТП.— 2005.— Т. 39, № 8.— С. 931—934.

14. Отрицательная емкость (импеданс индуктивного типа) кремниевых p+–n-переходов, об-лученных быстрыми электронами / Н.А. Поклонский, С.В. Шпаковский, Н.И. Горбачук, С.Б. Ластовский // ФТП.— 2006.— Т. 40, № 7.— С. 824—828.

15. Magnetoresistive effect and impedance spectroscopy of Co-implanted polyimide / V. N. Popok, M. G. Lukashevich, N. I. Gorbachuk, V. B. Odzhaev, R. I. Khaibullin, I. B. Khaibullin // Physica status solidi (a).— 2006.— V. 203, № 7.— P.1545–1549.

16. Анализ форм линий электронного парамагнитного резонанса каменных углей / С. Мунх-цэцэг, Н.А. Поклонский, А.В. Хомич, Н.И. Горбачук, Н.М. Лапчук // Вестник Бел. гос. ун-та, Сер. 1.— 2007.— № 3.— С. 49—55.

17. Формирование красящих комплексов в стеклах, окрашенных оксидами церия и титана / Е.Е. Трусова, Н.М. Бобкова, В.С. Гурин, Н.И. Горбачук // Стекло и керамика. — 2007. — № 10. — C. 13–15.

18. Electrical properties of silicon diodes with p+n junctions irradiated with 197Au+26 swift heavy ions / N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk, S.V. Shpakovski, A.V. Petrov, S.B. Lastovskii, D. Fink, A. Wieck // Nucl. Instr. and Meth. B.— 2008.— V. 266, № 23.— P. 5007—5012.

19. Моделирование тока в цепи «p+n-переход + резистор» и определение времени жизни не-основных носителей заряда / Н.А. Поклонский, А.И. Сягло, А.П. Гардей, Н.И. Горбачук, С.В. Шпаковский, А.Т. Власов // Изв. НАНБ. Сер. физ.-мат. наук.— 2009.— № 2.— С. 82—93.

20. Kinetics of reverse resistance recovery of silicon diodes: the role of the distance the metallurgi-cal p+n-junction-defect layer formed by 250 MeV krypton implantation / N.A. Poklonski,N.I. Gorbachuk, S.V. Shpakovski, V.A. Filipenia, V.A. Skuratov, A. Wieck // Physica B.— 2009.— V. 404, № 23-24.— P. 4667—4670.

21. Влияние диэлектрических жидкостей на частотные зависимости импеданса пористых композитов Si/SiO2 / Н.А. Поклонский, Н.И. Горбачук, И.В. Потоцкий, Д.А. Трофимчук // Низкоразмерные системы-2: Физико-химия элементов и систем с низкоразмерным струк-турированием (получение, диагностика, применение новых материалов и структур): Сб. науч. работ / Под ред. С.А. Маскевича, В.Ф. Стельмаха, А.К. Федотова, В.А. Струка, В.А. Лиопо. —Гродно: ГрГУ, 2005. —С. 96–104.

22. Bashun A.V., Gorbachuk N.I., Lapchuk N.M., Poklonski N.A. The features of paramagnetic nitrogen distribution in synthetic diamonds // Physics, Chemistry and Application of Nanostruc-tures: Review and Short Notes to Nanomeeting-99, Minsk, 17—21 May 1999 / Eds. V.E. Borisenko, A.V. Filonov, S.V. Gaponenko, V.S. Gurin. —Singapore: World Scientific Publishing Co., 1999. —P. 163—165.

23. Горбачук Н.И., Гурин В.С., Поклонский Н.А. Управление влагочувствительными свойствами мезопористых материалов для датчиков влажности // "Датчики и преобразо-ватели информации систем измерения, контроля и управления": Сб. материалов XII на-учно-техн. конф. с участием зарубежных специалистов, Судак, 23–30 мая 2000 / Москов-ский государственный институт электроники и математики (Технический университет); Под ред. В.Н. Азарова. —М., 2000. —С. 125—127.

24. Влияние постоянного электрического поля на частотные зависимости импеданса ком-позитов Si/SiO2 в окрестности порога протекания / Н.А. Поклонский, Н.И. Горбачук, Д.А. Алейникова, И.В. Потоцкий // Актуальные проблемы физики твердого тела: сб. докл. Междунар. науч. конф., 26—28 октября 2005 г., Минск. В 2 т. Т. 1.— Мн.: Изд. центр БГУ, 2005.— С. 331—333.

25. Патент РБ № 3673, МПК6 G 01 T 1/02. Дозиметр поглощенной дозы ионизирующего из-лучения / Горбачук Н.И., Гурин В.С., Поклонский Н.А., Рахманов С.К., Стельмах В.Ф. –№970691; Заявл. 4.12.97; Опубл. 30.12.2000 г. // Афiцыйны бюлетэнь. —2000. № 4(27). —С. 205.
Дополнительно:Родился 5 апреля 1969 г. в деревне Вулька-Радовецкая Дрогичинского района Брестской области. В 1993 окончил физический факультет Белорусского государственного университета и в том же году поступил в аспирантуру БГУ. На кафедре физики полупроводников и наноэлектроники работает с 1997 г. младшим научным сотрудником, научным сотрудником, ассистентом, старшим преподавателем. С 2004 г. — доцент. В 2002 г. защитил кандидатскую диссертацию "Низкочастотная электропроводность и парамагнитный резонанс связанных кластеров в гетерогенных системах".

Опубликовано 92 научные работы, в том числе 17 статей в научных журналах, 44 статьи в сборниках научных трудов и материалах научных конференций, 1 патент, 4 учебных пособия. В 2002 присуждена Стипендия Президента Республики Беларусь для молодых ученых, кандидатов наук.

Область научной деятельности: физика полупроводников и полупроводниковых приборов, физика гетерогенных систем.

Основные результаты.

В гетерогенных системах сажа/полиэтилен, C/SiO2, Si/SiO2, ксерогелях LiCl/SiO2 c концентрацией электропроводящей фазы близкой к пороговой для перехода диэлектрик–металл обнаружены электрические и парамагнитные эффекты, обусловленные изменением локальной электропроводности участков перколяционного кластера и взаимодействием матрицы с углеродными и кремниевыми кластерами; разработана феноменологическая модель связанных кластеров, позволяющая объяснить размытый переход диэлектрик-металл в гетерогенных системах, а также коррелированное с ним увеличение параметра асимметрии линии ЭПР парамагнитных центров углеродных кластеров. Полученные результаты позволили сформулировать физические принципы создания на основе гетерогенных сред высокочувствительных резистивных датчиков.

Основные результаты за последние пять лет:

· Показано, что индуктивность в облученных электронами диодах с p+n-переходом определяется процессами захвата инжектированных в базу диода дырок и их удержания в течение времени порядка полупериода синусоидального сигнала на центрах прилипания, роль которых выполняют А-центры.

· Установлено, что перколяционный переход металл-диэлектрик в иплантированном кобальтом полиимиде сопровождается инверсией знака реактивного импеданса.

· Показано, что облучение зерен природного алмаза типа IIa в атомном реакторе флюенсом »1021 cm-2 нейтронов приводит к радиационной престройке структуры, сопровождающейся появлением внутренних нанополостей и переходом в электропроводящее состояние (энергия активации электропроводимости 0.17 эВ).

· Показано, что облучение диодов ионами золота при дозе 108 см–2 приводит к формированию квазисплошного слоя радиационных дефектов, обеспечивающего лучшее, по сравнению с диодами, облученными электронами, сочетание таких характеристик, как время восстановления обратного сопротивления и прямое падение напряжения.

· Применительно к композиционным материалам и барьерным структурам микро-электроники развиты методики импедансной спектроскопии, отражены в курсе лекций.

Творческие контакты с коллегами из НИИ ФХП БГУ, ГНПО «Научно-практический центр национальной академии наук Беларуси по материаловедению», НПО «Интеграл», Объединенного института ядерных исследований, Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, Рурского университета (Ruhr-Universitaet Bochum, Germany) и др.