English version
| Стельмах Г.Ф. | Белов М.А. | Граков В.Е. | Покотило Ю.М. | Сикорский В.В. | Смирнова О.Ю. | Сокольский А.А. | Шупляк В.И. | Гиро А.В. | Горенков В.Н. | Сазонова И.М. | Антонович В.К. | Кузнечик О.П. | Петух А.Н. |
Фотография

Покотило Юрий Мефодьевич

Занимаемая должность:доцент
Степень, ученое звание:кандидат физико-математических наук, доцент
Контактная информация: :комната 416   телефон 209-55-34     e-mail pokotilo@bsu.by
Читаемые курсы:"Электронные процессы в металлах, полупроводниках и диэлектриках", "Квантовые эффекты в явлениях переноса", "Основы явлений переноса вещества и энергии", "Физические основы микроэлектроники", "Физика наноструктур и наноэлектроника"
Научная работа:Область научной деятельности – радиационная физика и технология полупроводников и их сплавов, методы контроля параметров полупроводниковых материалов и структур.
Основные публикации:- Ju.M. Pokotilo, A.N. Petukh, V.V. Litvinov and B.G. Tsvirko. Hydrogen-related donors in silicon: centers with negative electronic correlation energy. // Solid State Phenomena Vol. 108-109, 2005, p. 229-234.

- Yu. M. Pokotilo^, A. N. Petukh, V. V. Litvinov, and V. G. Tsvyrko. Hydrogen-Containing Donors in Silicon:Centers with Negative Effective Correlation Energy.//Semiconductors, Vol. 39, No. 7, 2005, pp. 768–771.

- Ju.M.Pokotilo, A.N.Petukh, V.V.Litvinov, V.P.Markevich, N.M.Kazuchits.Hydrogen-related shallow donors in Ge crystals implanted with protons. Materials Science in Semiconductor Processing// 2006 , v.9, p.p. 629-633.

- Yu. M. Pokotilo, A. N. Petukh, and O. A. Dzichkovsk. Formation Kinetics of Various Types of Hydrogen-related Donors in Proton-Implanted Silicon.//Semiconductors, 2008, Vol. 42, No. 7, pp. 873–875.

- Yu. M. Pokotilo , A. N. Petukh, V. V. Litvinov, V. P. Markevich, A. R. Peaker, and N. V. Abrosimov. Bistability of Hydrogen Donors in Proton-Implanted GeSi Alloy.//Technical Physics Letters, 2008, Vol. 34, No. 6, pp. 498–499.

- V.P.Markevich, L.Dobaczewski, K.Bonde Nielsen, V.V.Litvinov, A.N.Petukh, Ju.M.Pokotilo, N.A.Abrosimov A.R.Peaker. Electrically active hydrogen-implantation-induced defects in Ge crystalls and SiGe alloys. Thin Solid Fims , 2008, v.517, p.419-421.

- Yu.M.Pokotilo, A.N.Petukh, V.V.Litvinov, V.P.Markevich, N.V.Abrosimov, A.R.Peaker.Donors in Ge1-xSix Crystals implanted with Protons. Solid State Phenomena, v.131-133, p.p.131-135, (2008).

- Yu. M. Pokotilo, A. N. Petukh, V. V. Litvinov, and V. G. Tsvyrko. Formation of Hydrogen Donors in Proton-Implanted Epitaxial Silicon. //Inorganic Materials, 2009, Vol. 45, No. 11, pp. 1205–1209.

- Y.M. Pokotilo, A.N. Petukh, A.V. Giro and P. Wegierek. Formation of Submicron n+-Layers in Silicon Implanted with H+-Ions.//ACTA PHYSICA POLONICA A, 2011, Vol.120, No. 1, p.p.129-132.

- V.P. Markevich, A.R. Peaker, B. Hamilton, V.V. Litvinov, Yu.M. Pokotilo, A.N. Petukh, S.B. Lastovskii, J. Coutinho, M.J. Rayson, and P.R. Briddon. Radiation-induced Defect Reactions in Tin-doped Ge Crystals.//Solid State Phenomena, Vol. 178-179 (2011) p.p. 392-397.

- V.P. Markevich, A.R. Peaker, B. Hamilton, V.V. Litvinov, Yu.M. Pokotilo,S.B. Lastovskii, J. Coutinho, A.Carvalho,M.J. Rayson, and P.R. Briddon. Tin-vacancy complex in Germanium. //J.Appl.Phys., vol.109, 2011, p.083705-1 -0833705-9.
Дополнительно:Под руководством Покотило Ю.М. аспирантом Цвырко В.Г. в 2010 г. защищена диссертация на соискание степени кандидата физико-математических наук. Покотило Ю.М. является автором более 10 изобретений.