| Стельмах Г.Ф. | Белов М.А. | Граков В.Е. | Покотило Ю.М. | Сикорский В.В. | Смирнова О.Ю. | Сокольский А.А. | Шупляк В.И. | Гиро А.В. | Горенков В.Н. | Сазонова И.М. | Антонович В.К. | Кузнечик О.П. | Петух А.Н. |
Фотография

Петух Алла Николаевна

Занимаемая должность:зав.уч.лаб.
Степень, ученое звание:кандидат физ.-мат. наук (2000)
Контактная информация: :комната 416   телефон 209-55-34     e-mail petuch@bsu.by
Научная работа:Радиационная физика и технология полупроводников и их сплавов, методы контроля параметров полупроводниковых материалов и структур.
Основные публикации:1. Ю.М.Покотило, А.Н.Петух, О.А.Дзичковский / Кинетика формирования различных типов водородосодержащих доноров в кремнии, имплантированном протонами / ФТП 2008, т. 42, в.7, с. 893-895.

2. Ю.М.Покотило, А.Н.Петух, В.В.Литвинов, В.П.Маркевич, A.R. Peaker, Н.В. Абросимов БИСТАБИЛЬНОСТЬ ВОДОРОДНЫХ ДОНОРОВ В СПЛАВЕ GeSi, ИМПЛАНТИРОВАННОМ ПРОТОНАМИ / ПЖТФ, 2008, т.34, в.12, с. 1-5.

3. Ju.M. Pokotilo, A.N. Petukh, V.V. Litvinov, V.P. Markevich, N.V. Abrosimov and A.R. Peaker, Formation of Hydrogen-Related Shallow Donors in Ge1-xSix Crystals implanted with Protons // Solid State Phenomena Vols. 131-133 (2008) pp. 131-135.

4. V.P. Markevicha,, L. Dobaczewski, K. Bonde Nielsen, V.V. Litvinov, A.N. Petukh, Yu.M. Pokotilo, N.V. Abrosimov and A.R. Peaker / Electrically active hydrogen-implantation-induced defects in Ge crystals and SiGe alloys // Thin Solid Films 517 (2008), 419–421.

5.Статья Ю.М. Покотило, А.Н. Петух, В.В. Литвинов, В.Г. Цвырко / Формирование водородосодержащих доноров в эпитаксиальном кремнии, имплантированном протонами // Неорганические материалы 2009, Т.45, № 11, С. 1285-1290.