Янковский Юрий Николаевич

сл.тел: +375 17 209 50 51 (вн. 62 55)

Адрес: г. Минск, ул. Бобруйская, 5, к. 530

E-mail: yankouski@bsu.by

Краткая информация:

Родился 18 ноября 1961 г. в г. Минске. В 1987 окончил инженерно-физический факультет Белорусского политехнического института. На кафедре работает с 1985 г. инженером, младшим научным сотрудником, научным сотрудником, старшим научным сотрудником. С 2007 г. — ведущим научным сотрудником. В 2006 г. защитил кандидатскую диссертацию на тему «Взаимодействие редкоземельных элементов с основными легирующими и технологическими примесями в структурах на основе монокристаллического кремния». Автор более 70 публикаций.

Научные интересы:

Физика процессов примесно-дефектного взаимодействия в монокристаллическом кремнии и полупроводниковых структурах на его основе, материаловедение монокристаллического кремния, легированного нетрадиционными примесями.

1. Effect of Process-Related Impurities on the Electrophysical Parameters of a MOS Transistor / Odzhaev, V.B., Petlitskii, A.N., Prosolovich, V.S., Filipenya, V.A., Yavid, V.Y., Yankovskii, Y.N. // Russian Microelectronics. – 2021. – Vol. 50. – P. 63-68.
2. The influence of uncontrolled technological impurities on the temperature dependence of the gain coefficient of a bipolar n-p-n-transistor / Odzaev V.B., Pyatlitski A.N., Pilipenko V.A., Prosolovich U.S., Filipenia V.A., Shestovski D.V., Yavid V.Yu., Yankovski Y.N. // Proceedings of the National Academy of Sciences of Belarus. Physics and Mathematics Series. – 2021. – Vol. 57. – P. 232-241.
3. В. В. Буслюк, В. Б. Оджаев, А. К. Панфиленко, А. Н. Петлицкий, В. С. Просолович, В. А. Филипеня, Ю. Н. Янковский Электрофизические параметры диодов генераторов широкополосного шума // Микроэлектроника. – 2020. –Т.49. – № 4. – С. 314–320.
4. Харченко А.А., Бринкевич Д.И., Просолович В.С., Бринкевич С.Д., Оджаев В.Б., Янковский Ю.Н. Радиационно-стимулированная трансформация спектров отражения пленок диазохинон-новолачного фоторезиста при имплантации ионов сурьмы // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. – 2020. – № 6. – С.14–18.
5. Вабищевич С.А., Вабищевич Н.В., Бринкевич Д.И., Просолович В.С., Янковский Ю.Н. Дефектообразование в приповерхностном слое кремния, имплантированного высокоэнергетическими ионами: Исследование методом микроиндентирования // Весцi НАН Беларусi. Сер. фiз.-мат. навук – 2010. – № 3. – C.86-90.
6. Вабищевич С.А., Вабищевич Н.В., Бринкевич Д.И., Просолович В.С., Янковский Ю.Н. Особенности дефектообразования в кремнии, имплантированном ионами с удельной энергией ~ 1 МэВ/нуклон // Неорганические материалы. – 2010. – Т.46, № 12. – C.1413-1417.
7. Бринкевич Д.И., Оджаев В.Б., Просолович В.С., Янковский Ю.Н., Партыка Я. Электрофизические свойства КМОП-структур, созданных высокоэнергетичной ионной имплантацией // Przeglad elektrotechniczny. – 2010. – R.86, № 7. – C.184-186.
8. Бринкевич Д.И., Оджаев В.Б., Просолович В.С., Янковский Ю.Н. Перераспределение примесей при отжиге кремния, имплантированного бором и иттербием // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. – 2006. – № 8. – С.80-83.
9. Brinkevich D.I., Odzhaev V.B., Prosolovich V.S., Yankovski Yu.N. Radiation defects formation in silicon at high energy implantation // VACUUM. Surface engineering & vacuum technology. – 2005. – V.78, № 2 (357). – P.251-254.
10. Бринкевич Д.И., Вабищевич С.А., Просолович В.С., Янковский Ю.Н. Редкоземельные элементы в монокристаллическом кремнии. - Новополоцк: ПГУ, 2005. — 130 с.;
11. Бринкевич Д.И., Лукашевич М.Г., Просолович В.С., Скрипка Д.А., Янковский Ю.Н. Влияние редкоземельных примесей на магниторезистивный эффект в монокристаллическом кремнии // Неорганические материалы. – 2002. – Т.38, № 7. – С.775-777.
12. Афанасьева Н.П., Бринкевич Д.И., Просолович В.С., Янковский Ю.Н. Легирование кремния лантаноидами как способ оптимизации параметров детекторов ионизирующих излучений // Приборы и техника эксперимента. - 2002.- № 3.- С.24-26.
13. Бринкевич Д.И., Лукашевич М.Г., Петров В.В., Просолович В.С., Скрипка Д.А., Янковский Ю.Н. Гигантский магниторезистивный эффект в кремнии, легированном редкоземельными элементами // Весцi НАН Беларусi. Сер. фiз.-мат. навук. - 2002. - № 2.- С.102-104.
14. Бринкевич Д.И., Вабищевич С.А., Вабищевич Н.В., Просолович В.С., Янковский Ю.Н. , Явид В.Ю.Микротвердость ковалентных полупроводников, легированных редкоземельными примесями // Вестник БГУ. Сер. Физика, математика, информатика.- 2002.- № 1.- С.53-56.
15. Петров В.И., Просолович В.С., Янковский Ю.Н. Поведение примесей   кислорода в кремнии, легированном эрбием // Известия вузов. Материалы электронной техники. – 2002. – № 1. – С.19-22.
16. Просолович В.С., Янковский Ю.Н., Бринкевич Д.И. Радиационное дефектообразование за слоем внедрения при высокоэнергетичной ионной имплантации кремния // Весцi НАН Беларусi. Сер. фiз.-мат. навук. 2001. №3. С.111-114.