![](https://physics.bsu.by/data/Design/Img/_physF/_physF_kafedry/logo/inner-logo_new-view_KFPPiNE_2.jpg)
Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники является уникальной кафедрой, которая осуществляет подготовку высококвалифицированных специалистов в области разработки новых материалов и технологий для элементной базы микро-, нано- и оптоэлектроники, компьютерного моделирования физических процессов в полупроводниках и приборных структурах, 3D-проектирования и программирования микроконтроллерных систем, физики и электромеханики углеродных материалов. Интеллектуальный потенциал и высокая квалификация преподавателей и сотрудников кафедры позволяет выпускникам быть востребованными в научных и учебных учреждениях в любой стране мира, на производстве при работе со сложным технологическим и контрольно-измерительным оборудованием.
Дата создания
1966 г.
Специализация
«Физика наноматериалов и нанотехнологий»,
«Фундаментальная физика»,
«Компьютерная физика».
Коллектив кафедры, 2020 год
Количество преподавателей
10, из них 3 профессора и 7 доцентов.
История и развитие
Кафедра физики полупроводников Белорусского государственного университета была основана в 1966 году на базе проблемной лаборатории полупроводниковой техники, с последующим началом подготовки студентов по специализации «Физика полупроводников и диэлектриков». В 2002 году она была переименована в кафедру физики полупроводников и наноэлектроники.
Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники подготовила более тысячи специалистов для научно-исследовательских институтов, учебных заведений и промышленных предприятий. Один из главных итогов многолетней деятельности кафедры – создание отечественной научной школы по физике и технике полупроводников, основателем которой является первый заведующий кафедрой, профессор, заслуженный деятель науки БССР, член-корреспондент АН БССР и Национальной академии наук Беларуси, доктор физико-математических наук, профессор В.Д. Ткачев.
С 1979 по 1997 гг. кафедрой заведовал кандидат физико-математических наук, доцент Вячеслав Фомич Стельмах. С 1998 по 2002 гг. – кандидат физико-математических наук, доцент Иван Петрович Козлов. В настоящее время кафедрой руководит доктор физико-математических наук, профессор Владимир Борисович Оджаев.
За эти годы на кафедре закончили аспирантуру и защитили кандидатские диссертации более ста человек, и более двадцати из них стали докторами наук. Сейчас школа насчитывает более 150 активно работающих ученых.
![]() |
Сергей ГапоненкоДиректор Государственного научного учреждения «Институт физики им. Б.И.Степанова Национальной Академии наук Беларуси». Академик национальной академии наук Беларуси, доктор физико-математических наук, профессор. |
![]() |
Олег ГусевПроректор по учебной работе БНТУ, доктор технических наук, профессор. |
![]() |
Геннадий ПальчикРаботал председателем Высшей аттестационной комиссии Республики Беларусь, Ректором Академии управления при Президенте Республики Беларусь. В настоящее время является заведующим кафедрой педагогики и проблем развития образования Белорусского государственного университета Доктор педагогических наук, профессор. |
![]() |
Игорь МельниченкоВице-президент Сибирской угольно-энергетической компании. Доктор физико-математических наук, профессор. |
![]() |
Петр КучинскийДиректор Научно-исследовательского учреждения «Институт прикладных физических проблем имени А.Н. Севченко» Белорусского государственного университета, доктор физико-математических наук. |
![]() |
Михаил РумянцевОснователь и генеральный директор стартап-компании Friendly Data. Стартап привлек 1,1 миллиона долларов начального финансирования и был выкуплен корпорацией ServiceNow. Вошел в рейтинг молодых бизнесменов «2019 Европа 30 до 30», составленный журналом Forbes в категории «Технологии». |
Направления подготовки
Специалисты с высшим образованием по специальностям:
- 1-31 04 07 «Физика наноматериалов и нанотехнологий»
- 1-31 04 08 «Компьютерная физика»
- 7-07-0533-01 «Фундаментальная физика»
- 6-05-0533-04 «Компьютерная физика»
Магистры по специальностям:
- 1-31 80 20 «Прикладная физика», профилизация «Функциональные материалы»
- 7-06-0113-04 «Физико-математическое образование», профилизация «Физика и астрономия»
- 7-06-0533-02 «Прикладная физика», профилизация «Физическое материаловедение»
Научные работники высшей квалификации по специальностям
- 01.04.07 «Физика конденсированного состояния»
- 01.04.10 «Физика полупроводников»
Основные места трудоустройства выпускников
- Открытое акционерное общество «ИНТЕГРАЛ» – управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ»
- Государственное научно-производственное объединение «Научно-практический центр Национальной Академии наук Беларуси по материаловедению»
- Открытое акционерное общество «Минский научно-исследовательский институт радиоматериалов»
- Государственное научно-производственное объединение «Оптика, оптоэлектроника и лазерная техника»
- Открытое акционерное общество «Планар» Научно-производственный холдинг точного машиностроения «Планар»
- Резиденты Парка высоких технологий Республики Беларусь
Основные зарубежные партнеры
- Физико-технический институт имени А.Ф.Иоффе, г. Санкт - Петербург, РФ
- Рурский университет, г. Бохум, Германия
- Люблинский технический университет, г. Люблин, Польша
- Монгольский национальный университет, г. Улан-Батор, Монголия
- Университет Дуй Тан (DTU), г. Дананг, Вьетнам
- Ташкентский государственный технический университет им. Ислама Каримова, г. Ташкент, Узбекистан
- Институт исследований и разработок высоких технологий, Университет Дуй Тан, Дананг, Вьетнам
Филиалы кафедры
- Открытое акционерное общество «ИНТЕГРАЛ» – управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ»
Учебный процесс и научная деятельность
В структуру кафедры входят 4 научно-исследовательские лаборатории:
- «Физики и техники полупроводников» (заведующий - кандидат физико-математических наук, доцент Игорь Иосифович Азарко)
- «Физики электронных материалов» (заведующий - кандидат физико-математических наук, доцент, координатор учебно-научного Центра по наноматериалам и нанотехнологиям БГУ Виталий Казимирович Ксеневич)
- «Спектроскопии полупроводников» (заведующий - кандидат физико-математических наук, доцент Владислав Савельевич Просолович)
- «Высокоэнергетичной ионной имплантации и функциональной диагностики» (заведующий - старший научный сотрудник Николай Михайлович Казючиц)
- студенческая научно-исследовательская лаборатория «Физики наноструктурированных полупроводников» (руководитель - доктор физико-математических наук, профессор Михаил Григорьевич Лукашевич).
Более подробную информацию о кафедре вы также можете узнать из презентации.
ОСНОВНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ
2023:
Монография:
-
Поклонский, Н.А. Физика полупроводниковых систем. Основные понятия / Н.А. Поклонский, С.А. Вырко, О.Н. Поклонская. – Минск, Беларуская навука, 2023. – 311 с. (https://elib.bsu.by/handle/123456789/306923)
Научные статьи:
-
Interlayer interaction, shear vibrational mode, and tribological properties of two-dimensional bilayers with a commensurate moiré pattern / A.S. Minkin, I.V. Lebedeva, A.M. Popov, S.A. Vyrko, N.A. Poklonski, Yu.E. Lozovik // Phys. Rev. B. – 2023. – Vol. 108, № 8. – P. 085411 (1–9). (https://elib.bsu.by/bitstream/123456789/306919/1/PRB085411.pdf)
-
Structural, electronic, and transport properties of Janus XMoSiP2 (X = S, Se, Te) monolayers: a first-principles study / N.T. Hiep, C.Q. Nguyen, N.A. Poklonski, C.A. Duque, H.V. Phuc, D.V. Lu, N.N. Hieu // J. Phys. D: Appl. Phys. – 2023. – Vol. 56, № 38. – P. 385306 (1–13). (https://elib.bsu.by/bitstream/123456789/306918/1/JPDAP385306.pdf)
-
Expansion of nanotube cap due to migration of sp atoms from lateral surface / Yu.G. Polynskaya, A.S. Sinitsa, S.A. Vyrko, O. Ori, A.M. Popov, A.A. Knizhnik, N.A. Poklonski, Yu.E. Lozovik // Physica E. – 2023. – Vol. 148. – P. 115624 (1–7). (https://elib.bsu.by/bitstream/123456789/306915/1/PE115624.pdf)
-
DC hopping photoconductivity via three-charge-state point defects in partially disordered semiconductors / N.A. Poklonski, I.I. Anikeev, S.A. Vyrko // Phys. Scr. – 2023. – Vol. 98. – № 1. – P. 015823 (1–11). (https://elib.bsu.by/handle/123456789/306890)
-
Magnetic and optical properties of natural diamonds with subcritical radiation damage induced by fast neutrons / N.A. Poklonski, A.A. Khomich, I.A. Svito, S.A. Vyrko, O.N. Poklonskaya, A.I. Kovalev, M.V. Kozlova, R.A. Khmelnitskii, A.V. Khomich // Appl. Sci. – 2023. – Vol. 13, № 10. – P. 6221 (1–16). (https://elib.bsu.by/handle/123456789/306810)
-
Model of DC tunneling conductivity via hydrogen-like impurities in heavily doped compensated semiconductors / N.A. Poklonski, I.I. Anikeev, S.A. Vyrko, A.G. Zabrodskii // Phys. Status Solidi B. – 2023. – Vol. 260, № 4. – P. 2200559 (1–9). (https://elib.bsu.by/bitstream/123456789/306813/1/PSSB2200559.pdf)
-
Н.С. Ковальчук, С. Б. Ластовский, В.Б. Оджаев, А.Н. Петлицкий, В.С. Просолович, Д.В. Шестовский В.Ю. Явид, Ю.Н. Янковский Влияние структурных дефектов на электрофизические параметры p–i–n-фотодиодов // Микроэлектроника. – 2023. –Т.52. – № 4. – С.307-314. (https://elib.bsu.by/handle/123456789/304793)
-
А. А. Харченко, Д. И. Бринкевич, С. Д. Бринкевич, В. С. Просолович. Радиационно-индуцированная модификация спектров отражения пленок диазохинонноволачного фоторезиста при имплантации ионов Ag+ // Химия высоких энергий. – 2023. – T. 57, № 6. – С.465-471. (https://elib.bsu.by/handle/123456789/305496)
-
С. А. Вабищевич, Н. В. Вабищевич, Д. И. Бринкевич, В. С. Просолович Индентирование облученных электронами пленок диазохинон-новолачных фоторезистов на кремнии// Вестник Полоцкого государственного университета. Фундаментальные науки. Электрофизика, электрофизические установки. – 2023. – № 1(40). – С.29-37. (https://elib.bsu.by/handle/123456789/305109)
-
Д.И. Бринкевич, Е.В. Гринюк, С.Д. Бринкевич, В.С. Просолович, В.В. Колос, О.А. Зубова, С.Б. Ластовский Инфракрасная Фурье-спектроскопия структур фоторезист/кремний, используемых для обратной литографии // Журнал прикладной спектроскопии. – 2023. – T.90, № 6. – С.863-869. (https://elib.bsu.by/handle/123456789/305193). S.D. Brinkevich, V.Grinyuk, D.I.Brinkevich, V.S.Prosolovich, V. V. Kolos, O. A. Zubova, S.B.Lastovskiii Attenuated Total Reflection IR-Spectroscopy of Photoresist/Silicon Structures for Explosive Lithography// Journal of Applied Spectroscopy. – 2023. – V.90, N 6 – P.865-671 (https://elib.bsu.by/handle/123456789/305193)
-
С.А. Вабищевич, Н.В. Вабищевич, Д.И. Бринкевич, В.С. Просолович, В.В. Колос, О.А. Зубова Прочностные свойства облученных электронами пленок негативных новолачных фоторезистов на монокристаллическом кремнии //Вестник Полоцкого государственного университета. Фундаментальные науки. Электрофизика, электрофизические установки. – 2023. – № 2(41). – С.35-41. (https://journals.psu.by/fundamental/article/view/4999/4533)
-
С.А. Вабищевич, Н.В. Вабищевич, Д.И. Бринкевич, В.С. Просолович Пленки позитивного диазохинон-новолачного фоторезиста ФП9120, имплантированные ионами серебра//Вестник Полоцкого государственного университета. Фундаментальные науки. Электрофизика, электрофизические установки. – 2023. – № 2(41). – С.35-41. (https://elib.psu.by/handle/123456789/40092)
-
Решеточная модель бесфононной донорно-акцепторной фотолюминесценции в кристаллах германия / Н.А. Поклонский, И.И. Аникеев, С.А. Вырко // ЖПС. – 2023. – Т. 90, № 5. – С. 676–683. (https://elib.bsu.by/handle/123456789/306811)
-
Two schemes for producing molecular ions on a bent graphene layers / N.A. Poklonski, S.V. Ratkevich, S.A. Vyrko, A.T. Vlassov // Journal of the Belarusian State University. Physics. – 2023. – № 3. – P. 57–64. (https://elib.bsu.by/handle/123456789/306922)
-
Johnson P., Moe K.S., Persaud S., Odake S., Kazuchits, N.M., Zaitsev A.M. Spectroscopic characterization of yellow gem quality CVD diamond. Diamond and Related Materials – 2023. – V. 140. – P. 110505. (https://elib.bsu.by/bitstream/123456789/305583/1/Spectroscopic%20characterization%20of%20yellow%20gem%20quality%20CVD%20diamond.pdf)
Сборник научных трудов:
-
Материалы и структуры современной электроники: матер. X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / БГУ; редкол.: В.Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск: БГУ, 2022. – 639 с. (https://elib.bsu.by/handle/123456789/292723)
2022:
Научные статьи:
-
High-frequency capacitor with working substance “insulator–undoped silicon–insulator” / N.A. Poklonski, I.I. Anikeev, S.A. Vyrko // Devices and Methods of Measurements. – 2022. – Vol. 13. – P. 247-255.
-
Dependence of the energy of emission molecular orbitals in short open carbon nanotubes on the electric field / O.B. Tomilin, E.V. Rodionova, E.A. Rodin, N.A. Poklonski, I.I. Anikeev, S.V. Ratkevich // Physics of the Solid State. – 2022. – Vol. 64 – P. 365–370.
-
Максимальная прыжковая электропроводность на постоянном токе по водородоподобным примесям в полупроводниках / Н.А. Поклонский, С.А. Вырко, И.И. Аникеев, А.Г. Забродский // ФТП. – 2022. – Т. 56. – С. 1046-1054.
-
Processes Induced in DLC/Polyimide Structures by Irradiation with 60Co γ-Rays / Kharchenko A.A., Fedotova Yu. A., Zur I.A., Brinkevich D.I., Brinkevich S.D., Grinyuk E.V., Prosolovich V.S., Movchan S.A., Remnev G.E., Linnik S.A., Lastovskii S.B. // High Energy Chemistry. – 2022. – Vol. 56. – P. 354-362.
-
Attenuated Total Reflection Spectra of Nitrided SiO2/Si Structures / Odzhaev V.B., Pyatlitski A.N., Prosolovich V.S., Kovalchuk N.S., Soloviev, Ya. A., Zhygulin D.V., Shestovsky D.V., Yankovski, Yu. N. Brinkevich D.I. // Journal of Applied Spectroscopy. – 2022. – Vol. 89. – P. 665-670.
-
Ion Implantation in Diazoquinone–Novolac Photoresist / Brinkevich D.I., Brinkevich S.D., Prosolovich V.S. // High Energy Chemistry. – 2022. – Vol. 56. – P. 270-276.
2021:
Научные статьи:
- Engineering of defects in fast neutron irradiated synthetic diamonds / Khomich A.A., Kovalev A.I., Khmelnitsky R.A., Khomich A.V., Popovich A.F., Ralchenko V.G. // Journal of Physics: Conference Series. – 2021. – Vol. 2103. – 176437.
-
Study of color centers in radiation-modified diamonds / Kozlova M.V., Khomich A.A., Khmelnitsky R.A., Averin A.A., Kovalev A.I., Poklonskaya O.N., Vlasov I.I., Khomich A.V., Ralchenko V.G. // Journal of Physics: Conference Series. – 2021. – Vol. 2103. – 176437.
-
Multiscale modeling strategy to solve fullerene formation mystery / Popov, A.M., Lebedeva, I.V., Vyrko, S.A., Poklonski, N.A. // Fullerenes Nanotubes and Carbon Nanostructures. – 2021. – in press.
-
Effect of Process-Related Impurities on the Electrophysical Parameters of a MOS Transistor / Odzhaev, V.B., Petlitskii, A.N., Prosolovich, V.S., Filipenya, V.A., Yavid, V.Y., Yankovskii, Y.N. // Russian Microelectronics. – 2021. – Vol. 50. – P. 63-68.
-
Modification of Diazoquinone-Novolac Photoresist Films by the Implantation of Antimony Ions / Brinkevich, S.D., Brinkevich, D.I., Prosolovich, V.S. // Russian Microelectronics. – 2021. – Vol. 50. – P. 33-38.
-
Radiation-Induced Processes in Diazoquinone–Novolac Resist Films under Irradiation with 60Co γ-Rays / Brinkevich, S.D., Brinkevich, D.I., Prosolovich, V.S., Sverdlov, R.L. // High Energy Chemistry. – 2021. – Vol. 55. – P. 65-74.
-
Frustrated Total Internal Reflection Spectra of Diazoquinone–Novolac Photoresist Films / Brinkevich, S.D., Brinkevich, D.I., Prosolovich, V.S., Lastovskii, S.B., Pyatlitski, A.N. // Journal of Applied Spectroscopy. – 2021. – Vol. 87. – P. 1072-1078.
-
Rapid HPHT annealing of synthetic IB-TYPE diamonds / V.N. Kazuchits, N.M. Kazuchits, M.S. Rusetskiy, O.V. Korolik, A.V. Konovalova, O.V. Ignatenko // Carbon. – 2021. – Vol. 174. – P. 180–189.
-
Luminescence of brown CVD diamond: 468 nm luminescence center / A.M. Zaitsev, N.M. Kazuchits, K.S. Moe, J.E. Butler, O.V. Korolik, M.S. Rusetsky, V.N. Kazuchits // Diamond and Related Materials. – 2021. – Vol. 113. – 108255.
-
The phosphate-based composite materials filled with nano-sized BaTiO3 and Fe3O4: Toward the unfired multiferroic materials / Plyushch, A., Macutkevič, J., Sokal, A., Lapko, K., Kudlash, A., Adamchuk, D., Ksenevich, V., Bychanok, D., Selskis, A., Kuzhir, P., Banys, J. // Materials. – 2021. – Vol. 14. – P. 1-8.
2020:
Научные статьи:
-
Nitrogen-doped CVD diamond: Nitrogen concentration, color and internal stress / A.M.Zaitsev, N.M.Kazuchits, V.N.Kazuchits, K.S.Moe, M.S.Rusetsky, O.V.Korolik, Kouki Kitajima, J.E.Butler, W.Wang // Diamond and Related Materials– 2020. – Vol. 105. – P. 107794. (Scopus, WoS, IF2019=2.650).
-
Carrier recombination parameters in diamond after surface boron implantation and annealing / P. Grivickas, P. Ščajev, N. Kazuchits, A. Mazanik, O. Korolik, L.F. Voss, A.M. Conway, D.L. Hall, M. Bora, L. Subačius, V. Bikbajevas, V. Grivickas // Journal of Applied Physics (Scopus, WoS, IF2019=2.286). – 2020. – Vol. 127. – P. 245707 (6 p.)
2019:
Научные статьи:
-
Контроль дифференциального сопротивления p–n-переходов биполярного транзистора в активном режиме методом импедансной спектроскопии / Н.И. Горбачук, Н.А. Поклонский, Я.Н. Марочкина, С.В. Шпаковский // Приборы и методы измерений.– 2019. – Т. 10, № 3. – С. 253–262. (Gorbachuk N.I., Poklonski N.A., Marochkina Ya.N., Shpakovski S.V. Controlling of differential resistance of p–n-junctions of bipolar transistor in active mode by method of impedance spectroscopy. Devices and Methods of Measurements, 2019, vol. 10, no. 3, рр. 253–262 (in Russian). [DOI: 10.21122/2220-9506-2019-10-3-253-262])
-
Влияние экстракции дырок из базовой области кремниевого p–n–p-транзистора на его реактивный импеданс / Н.И. Горбачук, Н.А. Поклонский, Я.Н. Марочкина, С.В. Шпаковский // Приборы и методы измерений.– 2019. – Т. 10, № 4. – С. 322–330. (N.I. Gorbachuk, N.A. Poklonski, Ya.N. Marochkina, S.V. Shpakovski. Effect of hole extraction from the base region of a silicon p–n–p transistor on its reactive impedance]. Devices and Methods of Measurements, 2019, vol. 10, no. 4, рр. 322–330 (in Russian). [DOI: 10.21122/2220-9506-2019-10-4-322-330])
2018:
Научные статьи:
-
Расчет статических параметров кремниевого диода, содержащего в симметричном p–n-переходе δ-слой точечных трехзарядных дефектов / Н.А. Поклонский, А.И. Ковалев, Н.И. Горбачук, С.В. Шпаковский // Приборы и методы измерений.— 2018.— Т. 9, № 2.— С. 130—141. [DOI 10.21122/2220-9506-2018-9-2-130-141]
-
Structure and Dielectric Properties of Bi0.80Gd0.20–xLaxFeO3 Multiferroics / I.I. Makoed, A.F. Ravinski, N.I. Gorbachuk, A.V. Pashchenko, N.A. Liedienov, A.A. Amirov, D.M. Yusupov, and K.I. Janushkevich // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics.— 2018.— Vol. 82, No. 5.— P. 570–573 [DOI: 10.3103/S1062873818050210].
2017:
Научные статьи:
-
N.M. Kazuchits, M.S. Rusetsky, V.N. Kazuchits and A.M. Zaitsev. Cathodoluminescence of synthetic diamonds annealed at high temperature without stabilizing pressure // Diamond and Related Materials. – 2017. – Vol. 74. – P. 41-44.
-
Электропроводность на переменном токе гибридных пленок из углеродных и WS2-нанотрубок / В.К. Ксеневич, Н.И. Горбачук, Хо Вьет, М.В. Шуба, О.Г. Поддубская, Д.И. Юко // Журн. Белорус. гос. ун-та. Физика.—2017.— № 3.— С. 111–119 [URL: http://elib.bsu.by/handle/123456789/187602]
-
Non-linear Electrical Conductivity of Carbon Nanotubes/WS2 Nanotubes (Nanoparticles) Hybrid Films / V. K. Ksenevich, N. I. Gorbachuk, Ho Viet, M. V. Shuba, A. G. Paddubskaya, A. D. Wieck // Nonlinear Phenomena in Complex Systems.— 2017.— V. 20, №. 4.— P. 360 – 367. [URL: http://www.j-npcs.org/cgi-bin/test-pdf.php?text=../restricted/v20no4p360.pdf].
2016:
Научные статьи:
-
В.А. Мартинович, И.А. Хорунжий, М.С. Русецкий, Н.М. Казючиц. Теплоотвод на основе алмаза со встроенным датчиком температуры // Нано- и микросистемная техника. – 2016. – Т. 18 – № 4 – С. 209-214.
-
N.M. Kazuchits, M.S. Rusetsky, V.N. Kazuchits and A.M. Zaitsev. Aggregation of nitrogen in synthetic diamonds annealed at high temperature without stabilizing pressure // Diamond and Related Materials. – 2016. – Vol. 64. – P. 202-207.
-
Ksenevich, V.K. Electrical properties of Carbon Nanotubes/WS2 Nanotubes (Nanoparticles) Hybrid Films / Ksenevich V.K., Gorbachuk N.I., Ho Viet, Shuba M.V., Kuzhir P.P., Maksimenko S.A., Paddubskaya A.G., Valusis G., Wieck A.D., Zak A., Tenne R. // Nanosystems: Physics, Chemistry, Mathematics Nanosystems: Physics, Chemistry, Mathematics. — 2016.— V. 7, № 1.— P. 37—43. [DOI: 10.17586/2220-8054-2016-7-1-37-43]
-
Адамчук, Д.В., Импедансная спектроскопия поликристаллических пленок диоксида олова / Д.В. Адамчук, В.К. Ксеневич, Н.И. Горбачук, В.И. Шиманский // Приборы и методы измерений.— 2016.— Том 7, № 3.— C. 312–321. [URL: rep.bntu.by/bitstream/handle/data/26585/312%20-%20321.pdf?sequence=1&isAllowed=y]
Другие годы:
Научные статьи:
-
E. Gaubas, T. Ceponis, D. Meskauskaite, and N. Kazuchits. Profiling of Current Transients in Capacitor Type Diamond Sensors // Sensors. – 2015. – Vol. 15. – P. 13424-13458.
-
А.П. Одринский, Н.М. Казючиц, Л.Ф. Макаренко. Фотоэлектрическая релаксационная спектроскопия дефектов в монокристаллах синтетического алмаза // ФТТ. – 2015. – Т. 57. Вып. 11. – С. 2212-2217.
-
Н. М. Казючиц, Л. Ф. Макаренко, М. С. Русецкий, А. С. Шуленков. Чувствительные элементы на основе синтетического алмаза для контрольно-измерительных приборов АЭС // Доклады БГУИР – 2015. – № 2 (88). – С. 139-143.
-
E. Gaubas, T. Ceponis, A. Jasiunas, V. Kalendra, J. Pavlov, N. Kazuchits, E. Naumchik, M. Rusetsky. Lateral scan profiles of the recombination parameters correlated with distribution of grown-in impurities in HPHT diamond // Diamond and Related Materials. – 2014. – Vol. 47. – P. 15–26.
-
Н.М. Казючиц, А.В. Коновалова, И.И. Азарко, Ф.Ф. Якоцук, И.Н. Богданов, Ю.К. Кабак. Влияние условий синтеза на примесный состав монокристаллов алмаза марки СТМ Алмазот // Неорганические материалы. – 2014. – Т. 50. – № 2. – С. 144-149.
-
Бринкевич Д.И., Вабищевич Н.В., Просолович В.С. Микромеханические свойства эпитаксиальных слоев GaP, легированных редкоземельным элементом диспрозием // Неорганические материалы. – 2012. – Т.48, № 7. – С. .
-
Просолович В.С., Янковский Ю.Н., Бринкевич Д.И. Основы современных технологических процессов. Курс лекций. – Минск: БГУ, 2011 – 135 с.
-
Vabishchevich N., Brinkevich D., Volobuev V., Lukashevich M., Prosolovich V., Sidorenko Yu., Odzhaev V., Partyka J. Structure and electron-transport properties of photoresist implanted by Sb+ ions // Acta Physica Polonica A. – 2011. – V.120, № 1. – P.46-48.
-
V.K. Ksenevich, N.I. Gorbachuk, T.A Dauzhenka, I.A. Bashmakov, N.A. Poklonski, A.D.Wieck. AC-Conductivity of Thin Polycrystalline Tin Dioxide Films // Acta Physica Polonica A. – 2011. – Vol. 119, № 2. – P.P. 146-147.
-
N.A. Poklonski, S.A. Vyrko, E.F. Kislyakov, N.N. Hieu, O.N. Bubel’, A.M. Popov, Yu.E. Lozovik, A.A. Knizhnik, I.V. Lebedeva, N.A. Viet. Effect of Peierls transition in armchair carbon nanotube on dynamical behaviour of encapsulated fullerene // Nanoscale Research Letters.– 2011. (in press).
-
V.K. Ksenevich, N.I. Gorbachuk, T.A. Dauzhenka, I.A. Bashmakov, N.A. Poklonski, A.D. Wieck. AC-conductivity of thin polycrystalline tin dioxide films // Acta Physica Polonica A.– 2011.– Vol. 119, No. 2.– P. 146–147. [URL: http://przyrbwn.icm.edu.pl/APP/PDF/119/a119z2p16. pdf].
-
N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk, D. Aleinikova. Impedance of Si/SiO2 composites in the vicinity of the percolation threshold // Physics of the Solid State.– 2011.– Vol. 53, No. 3.– P. 462–466.
-
Ф.А. Нажим, М.Г.Лукашевич, В.В. Базаров, Р.И. Хайбуллин,В.Б.Оджаев.
-
Магниторезистивный эффект в полимерных композитах с нанокластерами магнитных и немагнитных металлов// Вестник БГУ. Сер. 1., 2010. - № 4. – С. 22- 26.
-
Бумай Ю.А., Валеев В.Ф., Долгих Н.И., Лукашевич М.Г., Нажим Ф.А., Нуждин В.И., Оджаев В.Б. «Оптические свойства пленок полиимида, имплантированных ионами серебра». «Материалы, Технологии, Инструменты» 2010, т. 15, № 4, с.54 -58.
Преподаваемые учебные дисциплины и курсы
Спецкурсы:
- Материалы микро- и наноэлектроники
- Введение в физику полупроводников с основами зонной теории
- Электронная теория полупроводников
- Квазичастицы в кристаллах и низкоразмерных системах
- Физика полупроводниковых приборов: неравновесные процессы
- Схемотехника и введение в технику микроконтроллерных систем
- Технологии производства ИМС
- Программирование микроконтроллерных систем
- Физика электропроводящих полимеров
- Тенденции в развитии электроники и электронной промышленности
- Нанотехнологии в электронике
- Спинтроника
- Основы строения материалов
- Элементы электронных схем и их диагностика
- Электронные состояния и процессы в конденсированных средах
- Физика электронных приборов: неравновесные процессы
- Основы схемотехники и программирования микроконтроллеров
- Статистическая физика полупроводников
- Технологические процессы в современной микро- и наноэлектронике и методы исследования электронных структур
Общефакультетские курсы лекций:
- Введение в электронику
- Инженерная графика
- Методы создания наноструктур и наноматериалов
- Фундаментальные принципы нанотехнологий
- Методы диагностики наноструктур и наноматериалов
- Основы радиоэлектроники
- Введение в твердотельную электронику
- Автоматизация эксперимента
- Цифровая электроника
- Теория групп симметрии
- Физико-химические основы технологических процессов
- Современные методы исследования материалов
Курсы лекций для студентов магистратуры:
- Современные проблемы в физике
- Менеджмент научно-исследовательских и научно-технических проектов
- Зонная теория полупроводников
- Кинетические процессы в полупроводниках
- Физика наноматериалов
- Интеллектуальные микроконтроллерные системы
- Приложения функционального анализа и теории групп в физике
- Менеджмент образовательных и научно-исследовательских проектов
- Физика полупроводников