Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники является уникальной кафедрой, которая осуществляет подготовку высококвалифицированных специалистов в области разработки новых материалов и технологий для элементной базы микро-, нано- и оптоэлектроники, компьютерного моделирования физических процессов в полупроводниках и приборных структурах, 3D-проектирования и программирования микроконтроллерных систем, физики и электромеханики углеродных материалов. Интеллектуальный потенциал и высокая квалификация преподавателей и сотрудников кафедры позволяет выпускникам быть востребованными в научных и учебных учреждениях в любой стране мира, на производстве при работе со сложным технологическим и контрольно-измерительным оборудованием.
Дата создания
1966 г.
Специализация
«Физика наноматериалов и нанотехнологий»,
«Фундаментальная физика»,
«Компьютерная физика».
Коллектив кафедры, 2020 год
Количество преподавателей
8, из них 3 профессора и 5 доцентов.
История и развитие
Кафедра физики полупроводников Белорусского государственного университета была основана в 1966 году на базе проблемной лаборатории полупроводниковой техники, с последующим началом подготовки студентов по специализации «Физика полупроводников и диэлектриков». В 2002 году она была переименована в кафедру физики полупроводников и наноэлектроники.
Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники подготовила более тысячи специалистов для научно-исследовательских институтов, учебных заведений и промышленных предприятий. Один из главных итогов многолетней деятельности кафедры – создание отечественной научной школы по физике и технике полупроводников, основателем которой является первый заведующий кафедрой, профессор, заслуженный деятель науки БССР, член-корреспондент АН БССР и Национальной академии наук Беларуси, доктор физико-математических наук, профессор В.Д. Ткачев.
С 1979 по 1997 гг. кафедрой заведовал кандидат физико-математических наук, доцент Вячеслав Фомич Стельмах. С 1998 по 2002 гг. – кандидат физико-математических наук, доцент Иван Петрович Козлов. В настоящее время кафедрой руководит доктор физико-математических наук, профессор Владимир Борисович Оджаев.
За эти годы на кафедре закончили аспирантуру и защитили кандидатские диссертации более ста человек, и более двадцати из них стали докторами наук. Сейчас школа насчитывает более 150 активно работающих ученых.
Сергей ГапоненкоДиректор Государственного научного учреждения «Институт физики им. Б.И.Степанова Национальной Академии наук Беларуси». Академик национальной академии наук Беларуси, доктор физико-математических наук, профессор. |
|
Олег ГусевПроректор по учебной работе БНТУ, доктор технических наук, профессор. |
|
Геннадий ПальчикРаботал председателем Высшей аттестационной комиссии Республики Беларусь, Ректором Академии управления при Президенте Республики Беларусь. В настоящее время является заведующим кафедрой педагогики и проблем развития образования Белорусского государственного университета Доктор педагогических наук, профессор. |
|
Игорь МельниченкоВице-президент Сибирской угольно-энергетической компании. Доктор физико-математических наук, профессор. |
|
Петр КучинскийДиректор Научно-исследовательского учреждения «Институт прикладных физических проблем имени А.Н. Севченко» Белорусского государственного университета, доктор физико-математических наук. |
|
Михаил РумянцевОснователь и генеральный директор стартап-компании Friendly Data. Стартап привлек 1,1 миллиона долларов начального финансирования и был выкуплен корпорацией ServiceNow. Вошел в рейтинг молодых бизнесменов «2019 Европа 30 до 30», составленный журналом Forbes в категории «Технологии». |
Направления подготовки
Специалисты с высшим образованием по специальностям:
-
1-31 04 07 «Физика наноматериалов и нанотехнологий»
-
1-31 04 08 «Компьютерная физика»
-
7-07-0533-01 «Фундаментальная физика»
-
6-05-0533-04 «Компьютерная физика»
Магистры по специальностям:
-
1-31 80 20 «Прикладная физика», профилизация «Функциональные материалы»
-
7-06-0113-04 «Физико-математическое образование», профилизация «Физика и астрономия»
-
7-06-0533-02 «Прикладная физика», профилизация «Физическое материаловедение»
Научные работники высшей квалификации по специальностям
-
01.04.07 «Физика конденсированного состояния»
-
01.04.10 «Физика полупроводников»
Основные места трудоустройства выпускников
-
Открытое акционерное общество «ИНТЕГРАЛ» – управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ»
-
Государственное научно-производственное объединение «Научно-практический центр Национальной Академии наук Беларуси по материаловедению»
-
Открытое акционерное общество «Минский научно-исследовательский институт радиоматериалов»
-
Государственное научно-производственное объединение «Оптика, оптоэлектроника и лазерная техника»
-
Открытое акционерное общество «Планар» Научно-производственный холдинг точного машиностроения «Планар»
-
Резиденты Парка высоких технологий Республики Беларусь
Основные зарубежные партнеры
-
Физико-технический институт имени А.Ф.Иоффе, г. Санкт - Петербург, РФ
-
Рурский университет, г. Бохум, Германия
-
Люблинский технический университет, г. Люблин, Польша
-
Монгольский национальный университет, г. Улан-Батор, Монголия
-
Университет Дуй Тан (DTU), г. Дананг, Вьетнам
-
Ташкентский государственный технический университет им. Ислама Каримова, г. Ташкент, Узбекистан
-
Институт исследований и разработок высоких технологий, Университет Дуй Тан, Дананг, Вьетнам
Филиалы кафедры
-
Открытое акционерное общество «ИНТЕГРАЛ» – управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ»
Учебный процесс и научная деятельность
В структуру кафедры входят 4 научно-исследовательские лаборатории:
-
«Физики и техники полупроводников» (заведующий - кандидат физико-математических наук, доцент Игорь Иосифович Азарко)
-
«Физики электронных материалов» (заведующий - кандидат физико-математических наук, доцент, координатор учебно-научного Центра по наноматериалам и нанотехнологиям БГУ Виталий Казимирович Ксеневич)
-
«Спектроскопии полупроводников» (заведующий - кандидат физико-математических наук, доцент Владислав Савельевич Просолович)
-
«Высокоэнергетичной ионной имплантации и функциональной диагностики» (заведующий - старший научный сотрудник Николай Михайлович Казючиц)
-
Студенческая научно-исследовательская лаборатория «Физики наноструктурированных полупроводников» (руководитель - доктор физико-математических наук, профессор Михаил Григорьевич Лукашевич).
Более подробную информацию о кафедре вы также можете узнать из презентации.
ОСНОВНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ
2023:
Монография:
-
Поклонский, Н.А. Физика полупроводниковых систем. Основные понятия / Н.А. Поклонский, С.А. Вырко, О.Н. Поклонская. – Минск, Беларуская навука, 2023. – 311 с. (https://elib.bsu.by/handle/123456789/306923)
Научные статьи:
-
Interlayer interaction, shear vibrational mode, and tribological properties of two-dimensional bilayers with a commensurate moiré pattern / A.S. Minkin, I.V. Lebedeva, A.M. Popov, S.A. Vyrko, N.A. Poklonski, Yu.E. Lozovik // Phys. Rev. B. – 2023. – Vol. 108, № 8. – P. 085411 (1–9).
-
Structural, electronic, and transport properties of Janus XMoSiP2(X = S, Se, Te) monolayers: a first-principles study / N.T. Hiep, C.Q. Nguyen, N.A. Poklonski, C.A. Duque, H.V. Phuc, D.V. Lu, N.N. Hieu // J. Phys. D: Appl. Phys. – 2023. – Vol. 56, № 38. – P. 385306 (1–13).
-
Expansion of nanotube cap due to migration of sp atoms from lateral surface / Yu.G. Polynskaya, A.S. Sinitsa, S.A. Vyrko, O. Ori, A.M. Popov, A.A. Knizhnik, N.A. Poklonski, Yu.E. Lozovik // Physica E. – 2023. – Vol. 148. – P. 115624 (1–7).
-
DC hopping photoconductivity via three-charge-state point defects in partially disordered semiconductors / N.A. Poklonski, I.I. Anikeev, S.A. Vyrko // Phys. Scr. – 2023. – Vol. 98. – № 1. – P. 015823 (1–11).
-
Magnetic and optical properties of natural diamonds with subcritical radiation damage induced by fast neutrons / N.A. Poklonski, A.A. Khomich, I.A. Svito, S.A. Vyrko, O.N. Poklonskaya, A.I. Kovalev, M.V. Kozlova, R.A. Khmelnitskii, A.V. Khomich // Appl. Sci. – 2023. – Vol. 13, № 10. – P. 6221 (1–16).
-
Model of DC tunneling conductivity via hydrogen-like impurities in heavily doped compensated semiconductors / N.A. Poklonski, I.I. Anikeev, S.A. Vyrko, A.G. Zabrodskii // Phys. Status Solidi B. – 2023. – Vol. 260, № 4. – P. 2200559 (1–9).
-
Robust electronic properties of monolayer BeO against molecule adsorption / H. Liu, Ksenevich, J. Zhao, J. Gao // Phys. Chem. Chem. Phys. – 2023. – Vol. 25, № 12. – P.P. 8853-8860.
-
Bismuth oxysulfide thin films for light and humidity sensing / A.V. Mazanik, I.A. Svito, V.K. Ksenevich, E.A. Bondarenko, L.S. Khoroshko, A.I. Kulak, E.A. Streltsov // Thin Solid Films. – 2023. – Vol. 782. – P.P. 140035 (1-8).
-
Synthesis of Ti3AlC2max phase under vacuum, its structural characterization and using for Ti3C2Tx MXene preparation / E.A. Ovodok, M.I. Ivanovskaya, S.K. Poznyak, A.M. Maltanova, I.I. Azarko, M. Micusik, M. Omastava, A. Aniskevich// Thin Solid Films – 2023. – V.771. – 139759.
-
Xalmurat M Iliyev, Vladimir B Odzhaev, Sobir B Isamov, Bobir O Isakov, Bayrambay K Ismaylov, Kutub S Ayupov, Shahzodbek I Hamrokulov, Sarvinoz O Khasanbaeva. X-ray diffraction and raman spectroscopy analyses of GaSb-enriched Si surface formed by applying diffusion doping technique // East Eur. J. Phys. – 2023 – V.3, P.363-369.
-
S. Koval’chuk, S. B. Lastovskii, V. B. Odzhaev, A. N. Petlitskii, V. S. Prosolovich, D. V. Shestovsky, V. Yu. Yavid, Yu. N. Yankovskii. Influence of Structural Defects on the Electrophysical Parameters of PIN-Photodiodes // Russian Microelectronics. – 2023 – V.52, No. 4 – Р.276-282.
-
S. Kovalchuk, S. B. Lastovski, V. B. Odzhaev, A. N. Petlitski, V. S. Prosolovich, D. V. Shestovski, V. Yu. Yavid, Yu. N. Yankovski. Electrophysical Parameters of pin-Photodiodes Irradiated with 60Co γ-Quanta // Russian Microelectronics. – 2023 – V.52, No. 6 – Р.504-509.
-
A. Kharchenko, D. I. Brinkevich, S. D. Brinkevich, V. S. Prosolovich. Radiation-Induced Alteration of the Reflection Spectra of Diazoquinone–Novolac Photoresist Films by Implantation of Ag+ Ions // High Energy Chemistry, 2023, V. 57, N 6, pp. 498-503.
-
Johnson P., Moe K.S., Persaud S., Odake S., Kazuchits, N.M., Zaitsev A.M. Spectroscopic characterization of yellow gem quality CVD diamond. Diamond and Related Materials – 2023. – V. 140. – P. 110505.
-
Khort A. High-performance selective NO2gas sensor based on In2O3–graphene–Cu nanocomposites / A. Khort, Y. Haiduk, I. Taratyn, D. Moskovskikh, K. Podbolotov, A. Usenka, N. Lapchuk, V. Pankov // Scientific Reports 13 (1), 7834 (2023/5/15).
-
Haiduk Yu.S, Yu.А., Lapchuk N.M., Kharchanka A.A., Usenka A.E., Korobko E.V., Pankov V.V. Structure and physicochemical properties of cobalt and cobalt-zinc ferrites for magnetorheological materials. Condensed Matter and Interphases. 2023; 25(1).
-
Д.И. Бринкевич, Е.В. Гринюк, С.Д. Бринкевич, В.С. Просолович, В.В. Колос, О.А. Зубова, С.Б. Ластовский. Инфракрасная Фурье-спектроскопия структур фоторезист/кремний, используемых для обратной литографии // Журнал прикладной спектроскопии. – 2023. – T.90, № 6. – С.863-869.
-
Решеточная модель бесфононной донорно-акцепторной фотолюминесценции в кристаллах германия / Н.А. Поклонский, И.И. Аникеев, С.А. Вырко // ЖПС. – 2023. – Т. 90, № 5. – С. 676-683.
-
Inductive type impedance of Mo/n-Si barrier structures irradiated with alpha particles / N.A. Poklonski, A.I. Kovalev, K.V. Usenko, E.A. Ermakova, N.I. Gorbachuk, S.B. Lastovski // Devices and Methods of Measurements. – 2023. – Vol. 14, № 1. – P. 38-43.
Сборник научных трудов:
-
Материалы и структуры современной электроники: матер. X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / БГУ; редкол.: В.Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск: БГУ, 2022. – 639 с. (https://elib.bsu.by/handle/123456789/292723)
2022:
Научные статьи:
-
High-frequency capacitor with working substance “insulator–undoped silicon–insulator” / N.A. Poklonski, I.I. Anikeev, S.A. Vyrko // Devices and Methods of Measurements. – 2022. – Vol. 13. – P. 247-255.
-
Dependence of the energy of emission molecular orbitals in short open carbon nanotubes on the electric field / O.B. Tomilin, E.V. Rodionova, E.A. Rodin, N.A. Poklonski, I.I. Anikeev, S.V. Ratkevich // Physics of the Solid State. – 2022. – Vol. 64 – P. 365–370.
-
Максимальная прыжковая электропроводность на постоянном токе по водородоподобным примесям в полупроводниках / Н.А. Поклонский, С.А. Вырко, И.И. Аникеев, А.Г. Забродский // ФТП. – 2022. – Т. 56. – С. 1046-1054.
-
Processes Induced in DLC/Polyimide Structures by Irradiation with 60Co γ-Rays / Kharchenko A.A., Fedotova Yu. A., Zur I.A., Brinkevich D.I., Brinkevich S.D., Grinyuk E.V., Prosolovich V.S., Movchan S.A., Remnev G.E., Linnik S.A., Lastovskii S.B. // High Energy Chemistry. – 2022. – Vol. 56. – P. 354-362.
-
Attenuated Total Reflection Spectra of Nitrided SiO2/Si Structures / Odzhaev V.B., Pyatlitski A.N., Prosolovich V.S., Kovalchuk N.S., Soloviev, Ya. A., Zhygulin D.V., Shestovsky D.V., Yankovski, Yu. N. Brinkevich D.I. // Journal of Applied Spectroscopy. – 2022. – Vol. 89. – P. 665-670.
-
Ion Implantation in Diazoquinone–Novolac Photoresist / Brinkevich D.I., Brinkevich S.D., Prosolovich V.S. // High Energy Chemistry. – 2022. – Vol. 56. – P. 270-276.
2021:
Научные статьи:
- Engineering of defects in fast neutron irradiated synthetic diamonds / Khomich A.A., Kovalev A.I., Khmelnitsky R.A., Khomich A.V., Popovich A.F., Ralchenko V.G. // Journal of Physics: Conference Series. – 2021. – Vol. 2103. – 176437.
-
Study of color centers in radiation-modified diamonds / Kozlova M.V., Khomich A.A., Khmelnitsky R.A., Averin A.A., Kovalev A.I., Poklonskaya O.N., Vlasov I.I., Khomich A.V., Ralchenko V.G. // Journal of Physics: Conference Series. – 2021. – Vol. 2103. – 176437.
-
Multiscale modeling strategy to solve fullerene formation mystery / Popov, A.M., Lebedeva, I.V., Vyrko, S.A., Poklonski, N.A. // Fullerenes Nanotubes and Carbon Nanostructures. – 2021. – in press.
-
Effect of Process-Related Impurities on the Electrophysical Parameters of a MOS Transistor / Odzhaev, V.B.,
Petlitskii, A.N., Prosolovich, V.S., Filipenya, V.A., Yavid, V.Y., Yankovskii, Y.N. // Russian Microelectronics. – 2021. – Vol. 50. – P. 63-68. -
Modification of Diazoquinone-Novolac Photoresist Films by the Implantation of Antimony Ions / Brinkevich, S.D., Brinkevich, D.I., Prosolovich, V.S. // Russian Microelectronics. – 2021. – Vol. 50. – P. 33-38.
-
Radiation-Induced Processes in Diazoquinone–Novolac Resist Films under Irradiation with 60Co γ-Rays / Brinkevich, S.D., Brinkevich, D.I., Prosolovich, V.S.,
Sverdlov, R.L. // High Energy Chemistry. – 2021. – Vol. 55. – P. 65-74. -
Frustrated Total Internal Reflection Spectra of Diazoquinone–Novolac Photoresist Films / Brinkevich, S.D., Brinkevich, D.I., Prosolovich, V.S., Lastovskii, S.B., Pyatlitski, A.N. // Journal of Applied Spectroscopy. – 2021. – Vol. 87. – P. 1072-1078.
-
Rapid HPHT annealing of synthetic IB-TYPE diamonds / V.N. Kazuchits, N.M. Kazuchits, M.S. Rusetskiy, O.V. Korolik, A.V. Konovalova, O.V. Ignatenko // Carbon. – 2021. – Vol. 174. – P. 180–189.
-
Luminescence of brown CVD diamond: 468 nm luminescence center / A.M. Zaitsev, N.M. Kazuchits, K.S. Moe, J.E. Butler, O.V. Korolik, M.S. Rusetsky, V.N. Kazuchits // Diamond and Related Materials. – 2021. – Vol. 113. – 108255.
-
The phosphate-based composite materials filled with nano-sized BaTiO3 and Fe3O4: Toward the unfired multiferroic materials / Plyushch, A., Macutkevič, J., Sokal, A., Lapko, K., Kudlash, A., Adamchuk, D., Ksenevich, V., Bychanok, D., Selskis, A., Kuzhir, P., Banys, J. // Materials. – 2021. – Vol. 14. – P. 1-8.
2020:
Научные статьи:
-
Nitrogen-doped CVD diamond: Nitrogen concentration, color and internal stress / A.M.Zaitsev, N.M.Kazuchits, V.N.Kazuchits, K.S.Moe, M.S.Rusetsky, O.V.Korolik, Kouki Kitajima, J.E.Butler, W.Wang // Diamond and Related Materials– 2020. – Vol. 105. – P. 107794. (Scopus, WoS, IF2019=2.650).
-
Carrier recombination parameters in diamond after surface boron implantation and annealing / P. Grivickas, P. Ščajev, N. Kazuchits, A. Mazanik, O. Korolik, L.F. Voss, A.M. Conway, D.L. Hall, M. Bora, L. Subačius, V. Bikbajevas, V. Grivickas // Journal of Applied Physics (Scopus, WoS, IF2019=2.286). – 2020. – Vol. 127. – P. 245707 (6 p.)
2019:
Научные статьи:
-
Контроль дифференциального сопротивления p–n-переходов биполярного транзистора в активном режиме методом импедансной спектроскопии / Н.И. Горбачук, Н.А. Поклонский, Я.Н. Марочкина, С.В. Шпаковский // Приборы и методы измерений.– 2019. – Т. 10, № 3. – С. 253–262. (Gorbachuk N.I., Poklonski N.A., Marochkina Ya.N., Shpakovski S.V. Controlling of differential resistance of p–n-junctions of bipolar transistor in active mode by method of impedance spectroscopy. Devices and Methods of Measurements, 2019, vol. 10, no. 3, рр. 253–262 (in Russian). [DOI: 10.21122/2220-9506-2019-10-3-253-262])
-
Влияние экстракции дырок из базовой области кремниевого p–n–p-транзистора на его реактивный импеданс / Н.И. Горбачук, Н.А. Поклонский, Я.Н. Марочкина, С.В. Шпаковский // Приборы и методы измерений.– 2019. – Т. 10, № 4. – С. 322–330. (N.I. Gorbachuk, N.A. Poklonski, Ya.N. Marochkina, S.V. Shpakovski. Effect of hole extraction from the base region of a silicon p–n–p transistor on its reactive impedance]. Devices and Methods of Measurements, 2019, vol. 10, no. 4, рр. 322–330 (in Russian). [DOI: 10.21122/2220-9506-2019-10-4-322-330])
2018:
Научные статьи:
-
Расчет статических параметров кремниевого диода, содержащего в симметричном p–n-переходе δ-слой точечных трехзарядных дефектов / Н.А. Поклонский, А.И. Ковалев, Н.И. Горбачук, С.В. Шпаковский // Приборы и методы измерений.— 2018.— Т. 9, № 2.— С. 130—141. [DOI 10.21122/2220-9506-2018-9-2-130-141]
-
Structure and Dielectric Properties of Bi0.80Gd0.20–xLaxFeO3 Multiferroics / I.I. Makoed, A.F. Ravinski, N.I. Gorbachuk, A.V. Pashchenko, N.A. Liedienov, A.A. Amirov, D.M. Yusupov, and K.I. Janushkevich // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics.— 2018.— Vol. 82, No. 5.— P. 570–573 [DOI: 10.3103/S1062873818050210].
2017:
Научные статьи:
-
N.M. Kazuchits, M.S. Rusetsky, V.N. Kazuchits and A.M. Zaitsev. Cathodoluminescence of synthetic diamonds annealed at high temperature without stabilizing pressure // Diamond and Related Materials. – 2017. – Vol. 74. – P. 41-44.
-
Электропроводность на переменном токе гибридных пленок из углеродных и WS2-нанотрубок / В.К. Ксеневич, Н.И. Горбачук, Хо Вьет, М.В. Шуба, О.Г. Поддубская, Д.И. Юко // Журн. Белорус. гос. ун-та. Физика.—2017.— № 3.— С. 111–119 [URL: http://elib.bsu.by/handle/123456789/187602]
-
Non-linear Electrical Conductivity of Carbon Nanotubes/WS2 Nanotubes (Nanoparticles) Hybrid Films / V. K. Ksenevich, N. I. Gorbachuk, Ho Viet, M. V. Shuba, A. G. Paddubskaya, A. D. Wieck // Nonlinear Phenomena in Complex Systems.— 2017.— V. 20, №. 4.— P. 360 – 367. [URL: http://www.j-npcs.org/cgi-bin/test-pdf.php?text=../restricted/v20no4p360.pdf].
2016:
Научные статьи:
-
В.А. Мартинович, И.А. Хорунжий, М.С. Русецкий, Н.М. Казючиц. Теплоотвод на основе алмаза со встроенным датчиком температуры // Нано- и микросистемная техника. – 2016. – Т. 18 – № 4 – С. 209-214.
-
N.M. Kazuchits, M.S. Rusetsky, V.N. Kazuchits and A.M. Zaitsev. Aggregation of nitrogen in synthetic diamonds annealed at high temperature without stabilizing pressure // Diamond and Related Materials. – 2016. – Vol. 64. – P. 202-207.
-
Ksenevich, V.K. Electrical properties of Carbon Nanotubes/WS2 Nanotubes (Nanoparticles) Hybrid Films / Ksenevich V.K., Gorbachuk N.I., Ho Viet, Shuba M.V., Kuzhir P.P., Maksimenko S.A., Paddubskaya A.G., Valusis G., Wieck A.D., Zak A., Tenne R. // Nanosystems: Physics, Chemistry, Mathematics Nanosystems: Physics, Chemistry, Mathematics. — 2016.— V. 7, № 1.— P. 37—43. [DOI: 10.17586/2220-8054-2016-7-1-37-43]
-
Адамчук, Д.В., Импедансная спектроскопия поликристаллических пленок диоксида олова / Д.В. Адамчук, В.К. Ксеневич, Н.И. Горбачук, В.И. Шиманский // Приборы и методы измерений.— 2016.— Том 7, № 3.— C. 312–321. [URL: rep.bntu.by/bitstream/handle/data/26585/312%20-%20321.pdf?sequence=1&isAllowed=y]
Другие годы:
Научные статьи:
-
E. Gaubas, T. Ceponis, D. Meskauskaite, and N. Kazuchits. Profiling of Current Transients in Capacitor Type Diamond Sensors // Sensors. – 2015. – Vol. 15. – P. 13424-13458.
-
А.П. Одринский, Н.М. Казючиц, Л.Ф. Макаренко. Фотоэлектрическая релаксационная спектроскопия дефектов в монокристаллах синтетического алмаза // ФТТ. – 2015. – Т. 57. Вып. 11. – С. 2212-2217.
-
Н. М. Казючиц, Л. Ф. Макаренко, М. С. Русецкий, А. С. Шуленков. Чувствительные элементы на основе синтетического алмаза для контрольно-измерительных приборов АЭС // Доклады БГУИР – 2015. – № 2 (88). – С. 139-143.
-
E. Gaubas, T. Ceponis, A. Jasiunas, V. Kalendra, J. Pavlov, N. Kazuchits, E. Naumchik, M. Rusetsky. Lateral scan profiles of the recombination parameters correlated with distribution of grown-in impurities in HPHT diamond // Diamond and Related Materials. – 2014. – Vol. 47. – P. 15–26.
-
Н.М. Казючиц, А.В. Коновалова, И.И. Азарко, Ф.Ф. Якоцук, И.Н. Богданов, Ю.К. Кабак. Влияние условий синтеза на примесный состав монокристаллов алмаза марки СТМ Алмазот // Неорганические материалы. – 2014. – Т. 50. – № 2. – С. 144-149.
-
Бринкевич Д.И., Вабищевич Н.В., Просолович В.С. Микромеханические свойства эпитаксиальных слоев GaP, легированных редкоземельным элементом диспрозием // Неорганические материалы. – 2012. – Т.48, № 7. – С. .
-
Просолович В.С., Янковский Ю.Н., Бринкевич Д.И. Основы современных технологических процессов. Курс лекций. – Минск: БГУ, 2011 – 135 с.
-
Vabishchevich N., Brinkevich D., Volobuev V., Lukashevich M., Prosolovich V., Sidorenko Yu., Odzhaev V., Partyka J. Structure and electron-transport properties of photoresist implanted by Sb+ ions // Acta Physica Polonica A. – 2011. – V.120, № 1. – P.46-48.
-
V.K. Ksenevich, N.I. Gorbachuk, T.A Dauzhenka, I.A. Bashmakov, N.A. Poklonski, A.D.Wieck. AC-Conductivity of Thin Polycrystalline Tin Dioxide Films // Acta Physica Polonica A. – 2011. – Vol. 119, № 2. – P.P. 146-147.
-
N.A. Poklonski, S.A. Vyrko, E.F. Kislyakov, N.N. Hieu, O.N. Bubel’, A.M. Popov, Yu.E. Lozovik, A.A. Knizhnik, I.V. Lebedeva, N.A. Viet. Effect of Peierls transition in armchair carbon nanotube on dynamical behaviour of encapsulated fullerene // Nanoscale Research Letters.– 2011. (in press).
-
V.K. Ksenevich, N.I. Gorbachuk, T.A. Dauzhenka, I.A. Bashmakov, N.A. Poklonski, A.D. Wieck. AC-conductivity of thin polycrystalline tin dioxide films // Acta Physica Polonica A.– 2011.– Vol. 119, No. 2.– P. 146–147. [URL: http://przyrbwn.icm.edu.pl/APP/PDF/119/a119z2p16. pdf].
-
N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk, D. Aleinikova. Impedance of Si/SiO2 composites in the vicinity of the percolation threshold // Physics of the Solid State.– 2011.– Vol. 53, No. 3.– P. 462–466.
-
Ф.А. Нажим, М.Г.Лукашевич, В.В. Базаров, Р.И. Хайбуллин,В.Б.Оджаев.
-
Магниторезистивный эффект в полимерных композитах с нанокластерами магнитных и немагнитных металлов// Вестник БГУ. Сер. 1., 2010. - № 4. – С. 22- 26.
-
Бумай Ю.А., Валеев В.Ф., Долгих Н.И., Лукашевич М.Г., Нажим Ф.А., Нуждин В.И., Оджаев В.Б. «Оптические свойства пленок полиимида, имплантированных ионами серебра». «Материалы, Технологии, Инструменты» 2010, т. 15, № 4, с.54 -58.
Преподаваемые учебные дисциплины и курсы
Спецкурсы:
-
Материалы микро- и наноэлектроники
-
Введение в физику полупроводников с основами зонной теории
-
Электронная теория полупроводников
-
Квазичастицы в кристаллах и низкоразмерных системах
-
Физика полупроводниковых приборов: неравновесные процессы
-
Схемотехника и введение в технику микроконтроллерных систем
-
Технологии производства ИМС
-
Программирование микроконтроллерных систем
-
Физика электропроводящих полимеров
-
Тенденции в развитии электроники и электронной промышленности
-
Нанотехнологии в электронике
-
Спинтроника
-
Основы строения материалов
-
Элементы электронных схем и их диагностика
-
Электронные состояния и процессы в конденсированных средах
-
Физика электронных приборов: неравновесные процессы
-
Основы схемотехники и программирования микроконтроллеров
-
Статистическая физика полупроводников
-
Технологические процессы в современной микро- и наноэлектронике и методы исследования электронных структур
Общефакультетские курсы лекций:
-
Введение в электронику
-
Инженерная графика
-
Методы создания наноструктур и наноматериалов
-
Фундаментальные принципы нанотехнологий
-
Методы диагностики наноструктур и наноматериалов
-
Основы радиоэлектроники
-
Введение в твердотельную электронику
-
Автоматизация эксперимента
-
Цифровая электроника
-
Теория групп симметрии
-
Физико-химические основы технологических процессов
-
Современные методы исследования материалов
Курсы лекций для студентов магистратуры:
-
Современные проблемы в физике
-
Менеджмент научно-исследовательских и научно-технических проектов
-
Зонная теория полупроводников
-
Кинетические процессы в полупроводниках
-
Физика наноматериалов
-
Интеллектуальные микроконтроллерные системы
-
Приложения функционального анализа и теории групп в физике
-
Менеджмент образовательных и научно-исследовательских проектов
-
Физика полупроводников