Явид Валентин Юльянович

сл.тел: +375 17 209 53 64 (вн. 62 50)

Адрес: г. Минск, ул. Бобруйская, 5, к. 528

E-mail: yavid@bsu.by

Краткая информация:

Биография

Родился 27 сентября 1945 г. в городе Минске.

В 1969 г. окончил физический факультет Белорусского государственного университета и в том же году поступил в аспирантуру БГУ. С 1971 г. работает младшим научным сотрудником сначала на кафедре физики полупроводников, а затем в НИИПФП. С 1978 по 1985 гг старший научный сотрудник в БНТУ и Институте физики твердого тела и полупроводников НАН Беларуси.

В 1985 г. переведен в БГУ, где и работает по настоящее время старшим научным сотрудником на кафедре физики полупроводников и наноэлектроники. В 1979 г. защитил кандидатскую диссертацию на тему «Рекомбинация на радиационных дефектах в германии». Автор более ста публикаций.

1. Petrov V.V. The Effect of Rare-Earth Elements on the Entropy of Radiation Defects Ionization in n-Type Ge / V.V. Petrov, T.D. Kharchenko, V.Yu. Yavid // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. Series. “Rare Earth Doped Semiconductors”. - 1993. - V.301. - P.229-235.;

2. Явид В.Ю. Распределение центров рекомбинации в кристаллах особо чистого германия / В.Ю. Явид, С.Н. Якубеня, Х.А. Шамас // Неорганические материалы. - 1998. – Т. 34. - № 12. С.1420-1422.;

3. Патент. 2014372 Российской Федерации. С30 В15/04.29/08. Способ выращивания монокристаллов германия / Алимов О.М., Петров В.В., Просолович В.С., Харченко К.В., Явид В.Ю.;опубл. 15.06.94.;

4. Jadan M. Efficiency of formation of radiation defects in silicon upon implantation of silicon and phosphorus ion / A.R. Chelyadinskii, V.Yu. Yavid // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B – 2004. - V.225. – P 516-520.

5. Displacement of Boron from the Silicon Crystal Nodes

6. Model of High-Temperature Diffusion of Interstitial Silicon Atoms in Silicon

7. Nitrogen as Annihilation Centre for Point Defects in Implanted Silicon