Поклонский Николай Александрович

сл.тел: +375 17 209 51 10

Адрес: г. Минск, ул. Бобруйская, 5, к. 538

E-mail: poklonski@bsu.by

Краткая информация:

Биография

Родился 14 августа 1949 г. в д. Городок Узденского р-на Минской обл., белорус. После окончания физического факультета Белорусского государственного университета в 1971 г. работал в БГУ и в НИИ прикладных физических проблем при БГУ. После окончания очной аспирантуры БГУ в 1976 г. работал в НИИ ПФП им. А.Н. Севченко в лаборатории электронных методов экспериментальной физики.

С 1993 г. работает на кафедре физики полупроводников и наноэлектроники БГУ. В 1982 г. им защищена кандидатская диссертация, а в 2001 г. докторская диссертация по теме «Статическое экранирование и прыжковый перенос зарядов в полупроводниках». В 2003 г. присвоено ученое звание профессора. Под его руководством защищено 5 кандидатских диссертаций. В 2008 г. присуждена премия имени А.Н. Севченко Белорусского государственного университета.

В 2021 г. ему присвоено звание член-корреспондент Национальной академии наук Беларуси.

Научные интересы:

• Физика и техника полупроводников; наноэлектроника; электронный спиновый резонанс; физика углеродных наноструктур

Читаемые курсы:

• «Теория групп симметрии»

• «Статистическая физика полупроводников»

• «Электроника наноструктур»

• «Низкоразмерные системы»

• «Равновесные состояния в кристаллах»

Благодарность ректора БГУ, 2024 г.

Звание Почётный член Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 2023 г.

Звание иностранный член Российской академии наук (Отделение физических наук, специальность «Физика и астрономия»), 2022 г.

Звание член-корреспондент Национальной академии наук Беларуси, 2021 г.

Почётное звание «Заслуженный деятель науки Республики Беларусь», 2021 г.

Премия имени А.Н. Севченко Белорусского государственного университета, 2008 г.

1. Interlayer interaction, shear vibrational mode, and tribological properties of two-dimensional bilayers with a commensurate moiré pattern / A.S. Minkin, I.V. Lebedeva, A.M. Popov, S.A. Vyrko, N.A. Poklonski, Yu.E. Lozovik // Phys. Rev. B. – 2023. – Vol. 108, № 8. – P. 085411 (1–9).

2. Structural, electronic, and transport properties of Janus XMoSiP2 (X = S, Se, Te) monolayers: a first-principles study / N.T. Hiep, C.Q. Nguyen, N.A. Poklonski, C.A. Duque, H.V. Phuc, D.V. Lu, N.N. Hieu // J. Phys. D: Appl. Phys. – 2023. – Vol. 56, № 38. – P. 385306 (1–13).

3. Expansion of nanotube cap due to migration of sp atoms from lateral surface / Yu.G. Polynskaya, A.S. Sinitsa, S.A. Vyrko, O. Ori, A.M. Popov, A.A. Knizhnik, N.A. Poklonski, Yu.E. Lozovik // Physica E. – 2023. – Vol. 148. – P. 115624 (1–7).

4. DC hopping photoconductivity via three-charge-state point defects in partially disordered semiconductors / N.A. Poklonski, I.I. Anikeev, S.A. Vyrko // Physica Scripta. – 2023. – Vol. 98. – № 1. – P. 015823 (1–11).

5. Magnetic and optical properties of natural diamonds with subcritical radiation damage induced by fast neutrons / N.A. Poklonski, A.A. Khomich, I.A. Svito, S.A. Vyrko, O.N. Poklonskaya, A.I. Kovalev, M.V. Kozlova, R.A. Khmelnitskii, A.V. Khomich // Applied Sciences. – 2023. – Vol. 13, № 10. – P. 6221 (1–16).

6. Model of DC tunneling conductivity via hydrogen-like impurities in heavily doped compensated semiconductors / N.A. Poklonski, I.I. Anikeev, S.A. Vyrko, A.G. Zabrodskii // Phys. Status Solidi B. – 2023. – Vol. 260, № 4. – P. 2200559 (1–9).

7. Computational insights into structural, electronic, and optical properties of Janus GeSO monolayer / Thi-Nga Do, Nguyen N. Hieu, N.A. Poklonski, Nguyen Thi Thanh Binh, Cuong Q. Nguyen, Nguyen D. Hien // RSC Advances. – 2021. – Vol. 11. – P. 28381-28387.

8. Electronic, optical, and thermoelectric properties of Janus In-based monochalcogenides / Vu T. V., Vi V. T. T., Phuc H. V., Nguyen C. V., Poklonski N. A., Duque C. A., Rai D. P., Hoi B. D., Hieu N. N. // Journal of Physics Condensed Matter. – 2021. – Vol. 22. – 225503.

9. Curie- Weiss behavior of the low-temperature paramagnetic susceptibility of semiconductors doped and compensated with hydrogen-like impurities / N. A. Poklonski, A. N. Dzeraviaha, S. A. Vyrko, A. G. Zabrodskii, A. I. Veinger, P. V. Semenikhin // AIP Advances. – 2021. – Vol. 11. – 055016.

10. Structural, elastic, and electronic properties of chemically functionalized boron phosphide monolayer / Tuan V. Vu, A. I. Kartamyshev, Nguyen V. Hieu, Tran D. H. Dang, Sy-Ngoc Nguyen, N. A. Poklonski, Chuong V. Nguyen, Huynh V. Phuc, Nguyen N. Hieu // RSC Advances. – 2021. – Vol. 11. – P. 8552-8558.

11. Transformation of a graphene nanoribbon into a hybrid 1D nanoobject with alternating double chains and polycyclic regions / A. S. Sinitsa, I. V. Lebedeva, Y. G. Polynskaya, Dimas G. de Oteyza, S. V. Ratkevich,  A. A. Knizhnik, A. M. Popov,  N. A. Poklonski, Y. E. Lozovik // Physical chemistry chemical physics: PCCP. – 2021. – Vol. 23. – P. 425-441.

12. Multiscale modeling strategy to solve fullerene formation mystery / Popov, A.M., Lebedeva, I.V., Vyrko, S.A., Poklonski, N.A. // Fullerenes Nanotubes and Carbon Nanostructures. – 2021. – Vol. 29. – P. 755-766.

13. Graphene membrane-based NEMS for study of interface interaction / A.I. Siahlo, A.M. Popov, N.A. Poklonski, Yu.E. Lozovik, S.A. Vyrko // Physica E. – 2020. – Vol. 115. – P. 113645 (6 pp.).

14. Magneto-optical absorption in silicene and germanene induced by electric and Zeeman fields / D. Muoi, N.N. Hieu, C.V. Nguyen, B.D. Hoi, H.V. Nguyen, N.D. Hien, N.A. Poklonski, S.S. Kubakaddi, H.V. Phuc // Phys. Rev. B. – 2020. – Vol. 101, № 20. – P. 205408 (12 pp.).

15. Спин-фононный магнитный резонанс электронов проводимости в кристаллах антимонида индия / Н.А. Поклонский, А.Н. Деревяго, С.А. Вырко // ЖПС. – 2020. – Т. 87, № 4. – С. 595–604.

16. Контроль дифференциального сопротивления p–n-переходов биполярного транзистора в активном режиме методом импедансной спектроскопии / Н.И. Горбачук, Н.А. Поклонский, Я.Н. Марочкина, С.В. Шпаковский // Приборы и методы измерений.– 2019. – Т. 10, № 3. – С. 253–262. (Gorbachuk N.I., Poklonski N.A., Marochkina Ya.N., Shpakovski S.V. Controlling of differential resistance of p–n-junctions of bipolar transistor in active mode by method of impedance spectroscopy. Devices and Methods of Measurements, 2019, vol. 10, no. 3, рр. 253–26

17. Влияние экстракции дырок из базовой области кремниевого p–n–p-транзистора на его реактивный импеданс / Н.И. Горбачук, Н.А. Поклонский, Я.Н. Марочкина, С.В. Шпаковский // Приборы и методы измерений.– 2019. – Т. 10, № 4. – С. 322–330. (N.I. Gorbachuk, N.A. Poklonski, Ya.N. Marochkina, S.V. Shpakovski. Effect of hole extraction from the base region of a silicon p–n–p transistor on its reactive impedance]. Devices and Methods of Measurements, 2019, vol. 10, no. 4, рр. 322–330

18. Расчет статических параметров кремниевого диода, содержащего в симметричном p–n-переходе δ-слой точечных трехзарядных дефектов / Н.А. Поклонский, А.И. Ковалев, Н.И. Горбачук, С.В. Шпаковский // Приборы и методы измерений.— 2018.— Т. 9, № 2.— С. 130—141.

19. N.A. Poklonski, S.A. Vyrko, E.F. Kislyakov, N.N. Hieu, O.N. Bubel’, A.M. Popov, Yu.E. Lozovik, A.A. Knizhnik, I.V. Lebedeva, N.A. Viet. Effect of Peierls transition in armchair carbon nanotube on dynamical behaviour of encapsulated fullerene // Nanoscale Research Letters.– 2011. (in press).

20. V.K. Ksenevich, N.I. Gorbachuk, T.A. Dauzhenka, I.A. Bashmakov, N.A. Poklonski, A.D. Wieck. AC-conductivity of thin polycrystalline tin dioxide films // Acta Physica Polonica A.– 2011.– Vol. 119, No. 2.– P. 146–147.

21. N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk, D. Aleinikova. Impedance of Si/SiO2 composites in the vicinity of the percolation threshold // Physics of the Solid State.– 2011.– Vol. 53, No. 3.– P. 462–466.

22. N.A. Poklonski, E.F. Kislyakov, S.A. Vyrko, N.N. Hieu, O.N. Bubel’, A.I. Siahlo, I.V. Lebedeva, A.A Knizhnik, A.M. Popov, Yu.E. Lozovik. A low-voltage magnetic nanorelay design // SPIE Newsroom.– 19 Nov. 2010.– 3 pp.

23. A.A. Kocherzhenko, F.C. Grozema, S.A. Vyrko, N.A. Poklonski, L.D.A. Siebbeles. Simulation of hopping transport based on charge carrier localization times derived for a two-level system // J. Phys. Chem. C.– 2010.– Vol. 114, No. 48.– P. 20424–20430.

24. N.A. Poklonski, S.A. Vyrko, A.G. Zabrodskii. Quasiclassical description of the nearest-neighbor hopping dc conduction via hydrogen-like donors in intermediately compensated GaAs crystals // Semicond. Sci. Technol.– 2010.– Vol. 25, No. 8.– P. 085006 (6 pp.).

25. N.A. Poklonski, E.F. Kislyakov, Nguyen Ngoc Hieu, S.A. Vyrko, O.N. Bubel’, Nguyen Ai Viet. Totally symmetric vibrations of armchair carbon nanotubes // Comput. Mater. Sci.– 2010.– Vol. 49, No. 4, Suppl. 1.– P. S231–S234

26. N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk, S.V. Shpakovski, A. Wieck. Equivalent circuit of silicon diodes subjected to high-fluence electron irradiation // Technical Physics.– 2010.– Vol. 55, No. 10.– P. 1463–1471.

27. N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk, S.V. Shpakovski, V.A. Filipenia, S.B. Lastovskii, V.A. Skuratov, A. Wieck, V.P. Markevich. Impedance and barrier capacitance of silicon diodes implanted with high-energy Xe ions // Microelectron. Reliab.– 2010.– Vol. 50, No. 6.– P. 813–820

28. O.V. Ershova, I.V. Lebedeva, Yu.E. Lozovik, A.M. Popov, A.A. Knizhnik, B.V. Potapkin, O.N. Bubel, E.F. Kislyakov, N.A. Poklonskii. Nanotube-based nanoelectromechanical systems: Control versus thermodynamic fluctuations // Phys. Rev. B.– 2010.– Vol. 81, No. 15.– P. 155453 (15 pp.)

29. N.A. Poklonski, E.F. Kislyakov, S.A. Vyrko, N.N. Hieu, O.N. Bubel’, A.I. Siahlo, I.V. Lebedeva, A.A. Knizhnik, A.M. Popov, Yu.E. Lozovik. Magnetically operated nanorelay based on two single-walled carbon nanotubes filled with endofullerenes Fe@C20 // J. Nanophotonics.– 2010.– Vol. 4.– P. 041675 (18 pp.)

30. N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk, S.V. Shpakovski, S.B. Lastovskii, A. Wieck. Influence of radiation defects on electrical losses in silicon diodes irradiated with electrons // Semiconductors.– 2010.– Vol. 44, No. 3.– P. 380–384.

31. N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk, S.V. Shpakovski, V.A. Filipenia, V.A. Skuratov, A. Wieck. Kinetics of reverse resistance recovery of silicon diodes: the role of the distance the metallurgical p+n-junction-defect layer formed by 250 MeV krypton implantation // Physica B.– 2009.– Vol. 404, No. 23-24.– P. 4667–4670.

32. N.A. Poklonski, S.A. Vyrko, A.G. Zabrodskii. Model of hopping dc conductivity via nearest neighbor boron atoms in moderately compensated diamond crystals // Solid State Commun.– 2009.– Vol. 149, No. 31-32.– P. 1248–1253

33. N.A. Poklonski, E.F. Kislyakov, Nguyen Ngoc Hieu, O.N. Bubel’, S.A. Vyrko, Tran Cong Phong. Electronic energy band structure of uniaxially deformed (5,5) armchair carbon nanotube // Molecular Simulation.– 2009.– Vol. 35, No. 8.– P. 681–684

34. N.A. Poklonski, E.F. Kislyakov, O.N. Bubel’, S.A. Vyrko, Nguyen Ngoc Hieu, A.M. Popov, Y.E. Lozovik, Nguyen Ai Viet. Fullerene C20 motion in (8,8) carbon nanotube // Physics, Chemistry and Application of Nanostructures. Reviews and Short Notes: Proc. of the Int. Conf. on Nanomeeting-2009, Minsk, 26–29 May 2009 / Eds. V.E. Borisenko et al.– Singapore: World Scientific, 2009.– P. 116–119.

35. V. Gusakov, J. Gusakova, N. Poklonski. Quantum chemical simulation of structural stability and atomic diffusion in silicon nanotubes // Physics, Chemistry and Application of Nanostructures. Reviews and Short Notes: Proc. of the Int. Conf. on Nanomeeting-2009, Minsk, 26–29 May 2009 / Eds. V.E. Borisenko et al.– Singapore: World Scientific, 2009.– P. 104–107.

36. N.A. Poklonski, G.A. Gusakov, V.G. Bayev, N.M. Lapchuk. Optical and paramagnetic properties of synthetic diamond crystals irradiated with electrons and annealed // Semiconductors.– 2009.– Vol. 43, No. 5.– P. 568–576.

37. N.A. Poklonski, S.A. Vyrko, O.N. Poklonskaya, A.G. Zabrodskii. A model of ionization equilibrium and Mott transition in boron doped crystalline diamond // Phys. Status Solidi B.– 2009.– Vol. 246, No. 1.– P. 158–163.

38. N.A. Poklonski, S.A. Vyrko, A.G. Zabrodskii. Calculation of capacitance of self-compensated semiconductors with intercenter hops of one and two electrons (by the example of silicon with radiation defects) // Semiconductors.– 2008.– Vol. 42, No. 12.– P. 1388–1394.

39. N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk, S.V. Shpakovski, A.V. Petrov, S.B. Lastovskii, D. Fink, A. Wieck. Electrical properties of silicon diodes with p+n junctions irradiated with 197Au+26 swift heavy ions // Nucl. Instr. and Meth. B.– 2008.– Vol. 266, No. 23.– P. 5007–5012

40. O.V. Ershova, Yu.E. Lozovik, A.M. Popov, O.N. Bubel’, E.F. Kislyakov, N.A. Poklonski. NEMS based on carbon nanotube: New method of control // Fullerenes, Nanotubes and Carbon Nanostructures.– 2008.– Vol. 16, No. 5-6.– P. 374–378.

41. N.A. Poklonski, E.F. Kislyakov, Nguyen Ngoc Hieu, O.N. Bubel’, S.A. Vyrko, A.M. Popov, Yu.E. Lozovik. Uniaxially deformed (5,5) carbon nanotube: Structural transitions // Chem. Phys. Lett.– 2008.– Vol. 464, No. 4-6.– P. 187–191.

42. O.V. Ershova, Yu.E. Lozovik, A.M. Popov, O.N. Bubel’, E.F. Kislyakov, N.A. Poklonski-, A.A. Knizhnik, I.V. Lebedeva. Control of the motion of nanoelectromechanical systems based on carbon nanotubes by electric fields // Journal of Experimental and Theoretical Physics.–V. 107, No. 4.– P. 653–661.

43. N.A. Poklonski, Nguyen Ngoc Hieu, E.F. Kislyakov, S.A. Vyrko, A.I. Siahlo, A.M. Popov, Yu.E. Lozovik. Interwall conductance in double-walled armchair carbon nanotubes // Phys. Lett. A.– 2008.– Vol. 372, No. 35.– P. 5706–5711

44. N.A. Poklonski, S.A. Vyrko, A.G. Zabrodskii. Field effect and capacitance of silicon crystals with hopping conductivity over point radiation defects pinning the Fermi level // Semiconductors.– 2007.– Vol. 41, No. 11.– P. 1300–1306.

45. N.A. Poklonski, A.A. Kocherzhenko, S.A. Vyrko, A.T. Vlassov. A comparison of two-particle models for conduction electron scattering on hydrogen-like impurity ions in non-degenerate semiconductors // Phys. Status Solidi B.– 2007.– Vol. 244, No. 10.– P. 3703–3710

46. O.V. Ershova, Yu.E. Lozovik, A.M. Popov, O.N. Bubel’, N.A. Poklonski-, E.F. Kislyakov. Control of the motion of nanoelectromechanical systems based on carbon nanotubes // Physics of the Solid State.– 2007.– Vol. 49, No. 10.– P. 2010–2014.

47. N.A. Poklonski, N.M. Lapchuk, A.V. Khomich, F.-X. Lu, W.-Zh. Tang, V.G. Ralchenko, I.I. Vlasov, M.V. Chukichev, Sambuu Munkhtsetseg. Nitrogen-doped chemical vapour deposited diamond: A new material for room-temperature solid state maser // Chin. Phys. Lett.– 2007.– Vol. 24, No. 7.– P. 2088–2090

48. N.A. Poklonski, E.F. Kislyakov, O.N. Bubel’, S.A. Vyrko, N.N. Hieu, A.M. Popov, Y.E. Lozovik. Structural phase transitions in (5,5) carbon nanotube controlled by its expansion: Calculations by the molecular orbital method // Physics, Chemistry and Application of Nanostructures: Reviews and Short Notes: Proc. of the Int. Conf. on Nanomeeting-2007, Minsk, 22-25 May 2007 / Eds. V.E. Borisenko et al.– Singapore: World Scientific, 2007.– P. 237–240.

49. A.M. Popov, Y.E. Lozovik, O.V. Ershova, O.N. Bubel’, E.F. Kislyakov, N.A. Poklonski. A nanoactuator based on carbon nanotube: New method of control // Physics, Chemistry and Application of Nanostructures: Reviews and Short Notes: Proc. of the Int. Conf. on Nanomeeting-2007, Minsk, 22-25 May 2007 / Eds. V.E. Borisenko et al.– Singapore: World Scientific, 2007.– P. 581–584.

50. A.V. Khomich, N.A. Poklonskii, N.M. Lapchuk, R.A. Khmel’nitskii, V.A. Dravin, S. Munkhtsetseg. Optical and paramagnetic properties of natural diamonds implanted with hydrogen ions // Journal of Applied Spectroscopy.– 2007.– Vol. 74, No. 4.– P. 537–543.

51. S. Munkhtsetseg, A.V. Khomich, N.A. Poklonskii, J. Davaasambuu. Infrared absorption spectra of coals with different degrees of coalification // Journal of Applied Spectroscopy.– 2007.– Vol. 74, No. 3.– P. 338–343

52. N.A. Poklonski, S.A. Vyrko, A.G. Zabrodskii. Quasi-static capacitance of a weakly compensated semiconductor with hopping conduction (on the example of p-Si:B) // Semiconductors.– 2007.– Vol. 41, No. 1.– P. 30–36.

53. N.A. Poklonski-, N.M. Lapchuk, A.O. Korobko. Magnetic ordering in crystalline Si implanted with Co ions with intermediate doses // Semiconductors.– 2006.– Vol. 40, No. 10.– P. 1151–1154.

54. N.A. Poklonski, S.V. Shpakovski, N.I. Gorbachuk, S.B. Lastovskii. Negative capacitance (impedance of the inductive type) of silicon p+-n junctions irradiated with fast electrons // Semiconductors.– 2006.– Vol. 40, No. 7.– P. 803–807

55. N.A. Poklonski, A.A. Kocherzhenko, A.I. Benediktovitch, V.V. Mitsianok, A.M. Zaitsev. Simulation of dc conductance of two-dimensional heterogeneous system: application to carbon wires made by ion irradiation on polycrystalline diamond // Phys. Status Solidi B.– 2006.– Vol. 243, No. 6.– P. 1212–1218.

56. N.A. Poklonski. Inversion of the EPR signal from P1 centers in a synthetic diamond single crystal under normal conditions // Technical Physics Letters.– 2006.– Vol. 32, No. 4.– P. 309–311.

57. N.A. Poklonski, S.A. Vyrko, A.G. Zabrodski-. The dipole model of narrowing of the energy gap between the Hubbard bands in slightly compensated semiconductors // Semiconductors.– 2006.– Vol. 40, No. 4.– P. 394–400.

58. N.A. Poklonskii, T.M. Lapchuk, V.G. Baev, G.A. Gusakov. Inversion of the electron spin resonance signal from a P1 center in a synthetic diamond crystal // Journal of Applied Spectroscopy.– 2006.– Vol. 73, No. 1.– P. 5–9.

59. A.V. Khomich, V.P. Varnin, I.G. Teremetskaya, N.A. Poklonskii, N.M. Lapchuk, A.O. Korobko. Hydrogenated nanoporous diamond films // Inorganic Materials.– 2005.– Vol. 41, No. 8.– P. 812–818.

60. N.A. Poklonski, T.M. Lapchuk, N.I. Gorbachuk, V.A. Nikolaenko, I.V. Bachuchin. Nanostructuring of crystalline grains of natural diamond using ionizing radiation // Semiconductors.– 2005.– Vol. 39, No. 8.– P. 894–897.

61. N.A. Poklonski, S.A. Vyrko, A.G. Zabrodskii. Fluctuation model of the high-frequency hopping electrical conductivity of moderately compensated semiconductors with hydrogenic impurities // Physics of the Solid State.– 2005.– Vol. 47, No. 7.– P. 1236–1244.

62. N.A. Poklonski, S.L. Podenok, S.A. Vyrko. Field emission from 2D layer // Physics, Chemistry and Application of Nanostructures: Reviews and Short Notes to Nanomeeting-2005, Minsk, 24–27 May 2005 / Eds. V.E. Borisenko et al.– Singapore: World Scientific, 2005.– P. 144–147.

63. N.A. Poklonski, E.F. Kislyakov, L. Kuzmin, M. Tarasov, E.E.B. Campbell. On the phonon mechanism of energy transfer from conduction electrons to lattice in single-wall metallic carbon nanotubes at low temperatures // Physics, Chemistry and Application of Nanostructures: Reviews and Short Notes to Nanomeeting-2005, Minsk, 24–27 May 2005 / Eds. V.E. Borisenko et al.– Singapore: World Scientific, 2005.– P. 235–239.

64. N.A. Poklonski, N.M. Lapchuk, T.M. Lapchuk. Inverted EPR signal from nitrogen defects in a synthetic diamond single crystal at room temperature // JETP Letters.– Vol. 80, No. 12.– P. 748–751.

65. N.A. Poklonski, S.A. Vyrko, A.A. Kocherzhenko. Ramo–Shockley relation for a series RCL circuit // Technical Physics.– 2004.– Vol. 49, No. 11.– P. 1469–1472.

66. N.A. Poklonski, E.F. Kislyakov, O.N. Bubel’, S.A. Vyrko. Isomerization and fission of highly charged C60 // Nanomodeling / Ed. by A. Lakhtakia, S.A. Maksimenko, Proceedings of SPIE (the SPIE 49th Annual Meeting) Denver, Colorado USA, 2–6 August 2004.– Vol. 5509 / SPIE, Bellingham, WA, 2004.– P. 179–186.

67. N.A. Poklonski, S.A. Vyrko, A.G. Zabrodskii. Electrostatic models of insulator–metal and metal–insulator concentration phase transitions in Ge and Si crystals doped by hydrogen-like impurities // Physics of the Solid State.– 2004.– Vol. 46, No. 6.– P. 1101–1106.

68. N.A. Poklonski, S.A. Vyrko, V.I. Yatskevich, A.A. Kocherzhenko. A semiclassical approach to Coulomb scattering of conduction electrons on ionized impurities in nondegenerate semiconductors // J. Appl. Phys.– 2003.– Vol. 93, No. 12.– P. 9749–9752

69. N.A. Poklonskii, S.A. Vyrko, A.G. Zabrodskii, S.V. Egorov. Numerical simulation of the temperature dependence of the ionization energy of hydrogen-like impurities in semiconductors: Application to transmutation-doped Ge:Ga // Physics of the Solid State.– 2003.– Vol. 45, No. 11.– P. 2053–2059.

70. N.A. Poklonskii, E.F. Kislyakov, S.A. Vyrko. On the temperature dependence of the dc conductivity of a semiconductor quantum wire in an insulator // Semiconductors.– 2003.– Vol. 37, No. 6.– P. 710–712.

71. N.A. Poklonski, E.F. Kislyakov, S.L. Podenok. Electronic structure of metallic single-wall carbon nanotubes: tight-binding versus free-electron approximation // Physics, Chemistry and Application of Nanostructures: Reviews and Short Notes to Nanomeeting-2003, Minsk, 20–23 May 2003 / Eds. V.E. Borisenko et al.– Singapore: World Scientific, 2003.– P. 186–189.

72. N.A. Poklonski, V.V. Mityanok, S.A. Vyrko. The Rameau–Shockley relation for an RCL circuit // Technical Physics Letters.– 2002.– Vol. 28, No. 8.– P. 635–636.

73. N.A. Poklonskii, S.A. Vyrko. Screening of an electric field and the quasi-static capacitance of an induced charge in semiconductors with hopping conductivity // Russian Physics Journal.– 2002.– Vol. 45, No. 10.– P. 1001–1007.

74. N.A. Poklonski, S.A. Vyrko. Nonlinear screening of the field of a dopant ion on the metal side of the Mott phase transition in semiconductors // Physics of the Solid State.– 2002.– Vol. 44, No. 7.– P. 1235–1240.

75. N.A. Poklonskii, S.A. Vyrko. Electrostatic model of edge luminescence of heavily doped degenerate semiconductors // Journal of Applied Spectroscopy.– Vol. 69, No. 3.– P. 434–443.

76. N.A. Poklonskii, E.F. Kislyakov, O.N. Bubel’, S.A. Vyrko. Coulomb distortion of carbododecahedron C // Journal of Applied Spectroscopy.– 2002.– Vol. 69, No. 3.– P. 323–327.

77. N.A. Poklonski, S.Yu. Lopatin. A lattice model of thermopower in hopping conduction: Application to neutron-doped crystalline germanium // Physics of the Solid State.– 2001.– Vol. 43, No. 12.– P. 2219–2228.

78. N.I. Gorbachuk, V.S. Gurin, N.A. Poklonski. Effect of the moisture content on the electrical conductivity of SiO2/LiCl xerogels // Glass Physics and Chemistry.– 2001.– Vol. 27, No. 6.– P. 520–526.