ТЕМАТИКА КУРСОВЫХ И ВЫПУСКНЫХ КВАЛИФИКАЦИОННЫХ РАБОТ (2025-2026 учебный год)

Поклонский Николай Александрович, доктор. физ.-мат. наук, профессор,
чл.-корр. НАНБ, иностранный член РАН (к. 538).

1. Распространение цуга электронов в полупроводниковой нити на поверхности феррита.

2. Структурирование отраженного от полосок графена белого света.

3. Электромагнитное излучение изогнутыми 2D-системами со стационарным током.

4. Генерация радиоволн изогнутыми 1D-системами при возбуждении в них электрического тока.

Лукашевич Михаил Григорьевич, доктор. физ.-мат. наук, профессор (к. 546).

1. Разработка методических основ и постановка лабораторной работы
   «Изучение магниторезистивного эффекта в магнитоупорядоченной среде».

2. Разработка методических основ и постановка лабораторной работы
   «Изучение эффекта Холла в магнитоупорядоченной среде».

3. Оптическая характеризация модифицированных высокодозной имплантацией ионов марганца пленок полиимида.

4. Электрические характеристики композита, полученного высокодозной имплантацией ионов марганца в полиимид, на постоянном и переменном токе.

5. Электрические характеристики на постоянном и переменном токе композита, полученного имплантацией ионов никеля в полиимид.

6. Модификация магнитных характеристик пленок полиимида имплантацией ионов никеля.

7. Электрические характеристики на постоянном и переменном токе композита, полученного имплантацией ионов никеля в полиэфирэфиркетон.

8. Модификация магнитных характеристик пленок полиэфирэфиркетона, имплантацией ионов никеля.

9. Изменение морфологии поверхности при имплантации ионов сурьмы в пленки полиэтилентерефталата.

10. Изменение элементного состава приповерхностного слоя пленки полиэтилентерефталата при имплантации ионов сурьмы.

11. Особенности проявления геометрического и размерного эффектов в магнитосопротивлении магнитоупорядоченных твердых тел.

12. Особенности проявления геометрического и размерного эффектов в эффекте Холла в магнитоупорядоченных твердых телах.

13. Проявление размерных эффектов в магниторезистивном эффекте тонких пленок пермаллоя.

14. Проявление размерных эффектов в эффекте Холла в тонких пленках пермаллоя.

15. Магниторезистивный эффект в нанокристаллических пленках железа на сапфировых подложках.

16. Эффект Холла в нанокристаллических пленках железа на сапфировых подложках.

17. Электрические характеристики тонких пленок никеля, синтезированных методом ионно-ассистированного осаждения.

18. Планарный эффект Холла в диамагнитных и магнитоупорядоченных пленках.

19. Классический и спонтанный эффекты Холла в нанокристалличесих пленках железа при различных механизмах электронного транспорта.

20. Влияние доменных стенок Блоха и Нееля на электропроводность магнитоупорядоченных твердых тел.

21. Влияние доменных стенок Блоха и Нееля на магниторезистивный эффект в магнитоупорядоченных твердых телах.

Азарко Игорь Иосифович, зав. НИЛ физики и техники полупроводников,
канд. физ.-мат. наук, доцент (к. 119)

1. ЭПР исследования микрокристаллов алмаза до и после высокотемпературного отжига.

2. Изучение метода ЭПР на примере исследования биологических объектов.

3. Парамагнитные свойства образцов трансгенных растений табака, выращенных с различной концентрацией никеля в питательном растворе.

4. Исследование методом ЭПР микропорошков синтетических алмазов.

5. Влияние постростовой обработки на парамагнитные характеристики ультрадисперсных алмазов детонационного синтеза.

6. ЭПР диагностика алмазов, синтезированных в борсодержащих системах.

7. Спектроскопические характеристик кубического нитрида бора, синтезированного в борсодержащих системах.

8. Изучение электрических (или магнитных, или оптических) характеристик композиционных материалов на основе многослойных структур, сформированных посредством ионной имплантации.

9. Парамагнитные свойства полимерных композитов с управляемой проводимостью, сформированных ионной имплантацией.

10. Исследовние методом ЭПР полимерных матриц, легированных кластерами углерода (или металла).

11. Спин-зависимые электронные процессы в композиционных материалах, модифицированных ионной имплантацией.

Баев Вадим Геннадьевич, зав. лабораторией «Взаимодействия излучения с веществом» Института энергетики НАН Беларуси, канд. физ.-мат. наук
(обращаться к секретарю кафедры физики полупроводников и наноэлектроники по телефону +375 17 209 53 64)

1. Структурно-фазовый состав и электротранспортные свойства углеродных резистивных покрытий для микроструктурных детекторов ионизирующего излучения в экспериментах на ускорителях частиц и компьютерной томографии.

2. Электромагнитные свойства микроструктурированных метаматериалов, используемых в детектирующих системах ионизирующего излучения.

3. Разработка физико-технологических основ создания высокоэффективных стабильных тонкопленочных солнечных элементов.

4. Компьютерное моделирование для разработки микроструктурных детектирующих систем ионизирующего излучения.

5. Разработка прототипов детекторов ионизирующего излучения для экспериментов на ускорителях частиц и компьютерной томографии.

6. Разработка барьерных структур на основе слоев широкозонных полупроводников для создания бетавольтаических преобразователей энергии (ядерная батарейка).

Бринкевич Дмитрий Иванович, ведущий научный сотрудник, канд. физ.-мат. наук (к. 530)

1. Методы исследования твердости тонких покрытий.

2. Оптические свойства позитивных фоторезистов.

3. Метод полного внутреннего отражения для исследования полупроводниковых материалов.

4. Методы индентирования для измерения твердости материалов.

5. Измерение микротвердости индентором Виккерса приповерхностных слоев различных материалов.

Горбачук Николай Иванович, заместитель декана по учебной и методической работе, канд. физ.-мат. наук, доцент (к. 536)

1. Механизмы переноса заряда и вольт-амперные характеристики варисторов.

2. Импеданс кремниевых диодов с быстрым восстановлением обратного сопротивления.

3. Технологии формирования кремниевых диодов с быстрым восстановлением обратного сопротивления.

4. Модели теории протекания, используемые для описания переноса заряда в нанокомпозитах.

5. Эквивалентные схемы замещения кремниевых диодов, облученных высокоэнергетическими тяжелыми ионами.

6. Радиационные дефекты, вводимые в кремний при облучении высокоэнергетическими тяжелыми ионами.

7. Импеданс p–n-структур, подвергнутых двойной имплантации высокоэнергетическими ионами гелия.

8. Перенос заряда в кремниевых диодах, облученных альфа частицами.

9. Импеданс МДП-структур, подвергнутых облучению высокоэнергетическими ионами гелия.

10. Экспериментальная установка для регистрации электростатических полей.

Доросинец Владимир Адамович, ведущий научный сотрудник, канд. физ.-мат. наук (к. 511)

1. Механизмы электропроводности в разупорядоченных металлооксидных полупроводниках.

2. Электропроводность полупроводников с многозарядными легирующими примесями.

3. Влияние режимов синтеза на механизмы электропроводности пленок SnO_2-δ

4. Определение энергии активации электропроводности SnO₂ с учетом многозарядности вакансий кислорода.

5. Расчет параметров прыжковой электропроводности методом Монте Карло по двумерной сетке Миллера-Абрахамса.

Казючиц Николай Михайлович, зав. НИЛ НИЛ высокоэнергетичной ионной имплантации и функциональной диагностики (к. 240)

1. Люминесцентный детектор на основе алмаза для визуализации электронного пучка.

2. Оптимизация фотолюминесценции азот-вакансионных центров в алмазе.

Карпович Игорь Александрович, канд. физ.-мат. наук, доцент (к. 119)

1. Разработка устройства климат-контроля на базе микроконтроллера АVR.

2. Управление дискретными сигналами при помощи микроконтроллеров AVR.

3. Обработка дискретных сигналов с помощью микроконтроллеров АVR.

4. Система управления «Умный дом» с помощью микроконтроллера AVR.

5. Использование информационных технологий в модернизации лабораторной работы по изучению спектра фотопроводимости полупроводников.

6. Автоматизация измерительной установки лабораторной работы «Стабилитроны».

7. Разработка программного обеспечения лабораторной работы «Определение длины диффузии и времени жизни неравновесных носителей заряда методом подвижного светового зонда».

8. Разработка программного обеспечения лабораторной работы «Электролюминесценция полупроводников».

9. Измерение токов и напряжений микроконтроллером AVR при исследовании ВАХ стабилитронов.

10. Измеритель индуктивности с использованием микроконтроллера.

11. Управление мощными нагрузками с помощью микроконтроллеров AVR.

12. Часы-термометр на микроконтроллере ATmega328.

13. Управление светодиодами с помощью микроконтроллера AVR.

14. Измерение переменного напряжения с помощью микроконтроллера AVR.

15. Измеритель частоты на микроконтроллере AVR.

16. Схема управления шаговыми двигателями с помощью микроконтроллера.

17. Схема управления серводвигателями с помощью микроконтроллера.

18. Измеритель RLC на базе микроконтроллера.

19. Применение RGB светодиодов для развёртки спектра сканирования.

Ковалев Александр Игоревич, канд. физ.-мат. наук, доцент (к. 528)

1. Разработка макета монохроматора в видимом диапазоне длин волн.

2. Макет двухкоординатной установки для прецизионного зондирования полупроводниковых материалов.

3. Исследование спектральных характеристик фото- и светодиодов.

4. Блок первичной обработки и регистрации аналоговых сигналов с лабораторных установок.

5. Измерение удельного электрического сопротивления материалов четырехзондовым методом. Автоматизация измерительного процесса.

6. Характеризация полупроводниковых диодов и транзисторов путем измерения вольт-амперных характеристик.

7. Реализация на базе платформы ARDUINO UNO алгоритма распознавания цвета.

8. Разработка и исследование повышающего DC–DC преобразователя.

9. Исследование температурной зависимости параметров p–n-перехода.
   Создание термосенсора на его основе.

10. Разработка и исследование многоступенчатой планетарной передачи как основы для создания роботизированного манипулятора.

11. Разработка блока управления установкой для изучения эффекта Доплера.

12. Цифровой частотомер для измерения доплеровского сдвига ультразвуковых сигналов.

Ксеневич Виталий Казимирович, зав. НИЛ физики электронных материалов, канд. физ.-мат. наук, доцент (к. 511)

1. Синтез и структурные свойства плёнок оксидов олова различного фазового состава.

2. Электрические свойства графена.

3. Электрические и магнитные свойства легированных никелем пленок оксидов олова.

4. Структурные и электрические свойства имппантированных ионами гелия плёнок оксидов олова.

5. Чувствительность к влажности нестехиометрических пленок диоксида олова.

6. Электропроводность и магнитные свойства пленок оксидов олова.

7. Механизмы электропроводности в разупорядоченных и гетерогенных материалах вблизи перехода металл-диэлектрик.

8. Электропроводность и чувствительность к влажности гибридных пленок из углеродных и неорганических нанотрубок.

9. Электрические и оптические свойства легированных и нелегированных плёнок оксидов олова.

10. Кристаллическая структура и электропроводность легированных алюминием плёнок оксидов олова.

Лапчук Наталья Михайловна, канд. физ.-мат. наук, доцент (к. 540)

1. Основные виды парамагнитных дефектов в синтетических алмазах.

2. Оценка формы контура линии электронного парамагнитного резонанса в бурых углях различного генезиса.
3. Парамагнетизм бурых углей, склонных к самовозгоранию.
4. Исследование методом ЭПР ископаемых углей, как природных органических полимеров.
5. Парамагнетизм образцов пиролитического графита.
6. Особенности парамагнетизма детонационных наноалмазов высокой степени очистки.
7. Парамагнетизм легированного атомами серебра детонационного наноалмаза, облученного электронами.
8. Влияние мощности СВЧ на параметры спектров ЭПР детонационных наноалмазов, легированных в процессе синтеза ионами серебра
9. Диагностика методом электронного парамагнитного резонанса спеченных при разных давлениях и температурах порошков ДНА.
10. Влияние высокотемпературного отжига на форму контура линии ЭПР порошков детонационного наноалмаза.
11. Влияние имплантации ионов на парамагнетизм полимерных пленок.
12. Анизотропия параметров спектров ЭПР имплантированных ионами сурьмы пленок полиэтилентерефталата в магнитном поле
13. Влияние толщины пленок полиэтилентерефталата, облучённых ионами сурьмы с энергией 60 кэВ, и дозой 2000 мкКл, на параметры эталонного образца, контролирующего добротность резонатора.
14. Влияние УФ излучения на параметры спектров ЭПР облученной ионами азота и отожженной в процессе БТО пленки диоксида кремния.
15. Релаксационные процессы в облучённых ионами плёнках полиэтилентерефталата.
16. Влияние условий хранения облученных ионами фосфора и сурьмы пленок полиэтилентерефталата на основные параметры спектров ЭПР.
17. Времена спин-спиновой и спин-решеточной парамагнитной релаксации в облученных ионами дейтерия с Е= 360 кэВ пленках CVD алмаза.
18. Сравнительный анализ результатов отжига парамагнитных дефектов в интервале температур 400–1000°C в образцах нейтронно-облученного алмаза и ДНА высокой степени очистки.
19. Влияние условий модификации поверхности кремния на основные параметры спектров ЭПР.
20. Влияние происхождения углеродных материалов (антрацит, графит, алмаз природный, алмаз синтетический) на основные параметры спектров ЭПР.

Просолович Владислав Савельевич, зав. НИЛ спектроскопии полупроводников, канд. физ.-мат. наук, доцент (к. 238)

1. Методы измерения параметров электрофизических полупроводниковых приборов.

2. Определение коэффициента усиления биполярного транзистора.

3. Влияние технологических примесей на эксплуатационные параметры приборов микроэлектроники.

4. Компьютерная обработка результатов измерения вольт-амперных характеристик.

5. Компьютерная обработка результатов измерения вольт-фарадных характеристик.

Сидоренко Юлия Владимировна, канд. физ.-мат. наук, доцент (к. 119)

1. Парамагнитные характеристики композиционных материалов с ультрадисперсными алмазами.

2. Исследование методом ЭПР ультрадисперсных алмазов различной степени агрегации.

3. Парамагнитные характеристики халькопиритов.

Янковский Юрий Николаевич, ведущий научный сотрудник, канд. физ.-мат. наук (к. 530)

1. Компьютерная обработка результатов измерений микротвердости полимерных структур.

2. Компьютерное моделирование результатов измерений, полученных с помощью метода микроиндентирования.

ТЕМАТИКА КУРСОВЫХ И ВЫПУСКНЫХ КВАЛИФИКАЦИОННЫХ РАБОТ (2023)

Поклонский Николай Александрович, доктор. физ.-мат. наук, профессор, чл.-корр. НАНБ, иностранный член РАН (к. 538).

1. Распространение цуга электронов в полупроводниковой нити на поверхности феррита.

2. Структурирование отраженного от полосок графена белого света.

3. Электромагнитное излучение изогнутыми 2D-системами со стационарным током.

4. Генерация радиоволн изогнутыми 1D-системами при возбуждении в них электрического тока.

Лукашевич Михаил Григорьевич, доктор. физ.-мат. наук, профессор (к. 546).

1. Оптическая характеризация пленок полиимида модифицированных высокодозной имплантацией ионов марганца.

2. Электрические характеристики композита на постоянном и переменном токе, полученного высокодозной имплантацией ионов марганца в полиимид.

3. Модификация магнитных характеристик пленок полиимида, имплантированных высокой дозой ионов марганца.

4. Электрические характеристики на постоянном и переменном токе композита, полученного имплантацией ионов никеля в полиэфирэфиркетон.

5. Модификация магнитных характеристик пленок полиэфирэфиркетона, имплантацией ионов никеля.

6. Электрические характеристики на постоянном и переменном токе композита, полученного имплантацией ионов никеля в полиимид.

7. Модификация магнитных характеристик пленок полиимида, имплантацией ионов никеля.

8. Проявление размерных эффектов в магниторезистивном эффекте тонких пленок пермаллоя.

9. Проявление размерных эффектов в эффекте Холла в тонких пленках пермаллоя.

10. Магниторезистивный эффект в нанокристаллических пленках железа на сапфировых подложках.

11. Эффект Холла в нанокристаллических пленках железа на сапфировых подложках.

12. Электрические характеристики тонких пленок никеля, синтезированных методом ионно-ассистированного осаждения.

13. Планарный эффект Холла в диамагнитных и магнитоупорядоченных пленках.

14. Классический и спонтанный эффекты Холла в нанокристалличесих пленках железа при различных механизмах электронного транспорта.

Азарко Игорь Иосифович, зав. НИЛ физики и техники полупроводников, канд. физ.-мат. наук, доцент (к. 119)

1. ЭПР исследования микрокристаллов алмаза до и после высокотемпературного отжига.

2. Изучение метода ЭПР на примере исследования биологических объектов.

3. Исследование методом ЭПР микропорошков синтетических алмазов.

4. Влияние постростовой обработки на парамагнитные характеристики ультрадисперсных алмазов детонационного синтеза.

5. Парамагнитные свойства образцов трансгенных растений табака, выращенных с различной концентрацией никеля в питательном растворе.

6. ЭПР диагностика алмазов, синтезированных в борсодержащих системах.

7. Спектроскопические характеристик кубического нитрида бора, синтезированного в борсодержащих системах.

8. Изучение электрических (или магнитных, или оптических) характеристик композиционных материалов на основе многослойных структур, сформированных посредством ионной имплантации.

9. Парамагнитные свойства полимерных композитов с управляемой проводимостью, сформированных ионной имплантацией.

10. Исследовать методом ЭПР полимерные матрицы, легированные кластерами углерода (или металла).

11. Спин-зависимые электронные процессы в композиционных материалах, модифицированных ионной имплантацией.

Горбачук Николай Иванович, заместитель декана по учебной и методической работе, канд. физ.-мат. наук, доцент (к. 536)

1. Механизмы переноса заряда и вольт-амперные характеристики варисторов.

2. Импеданс кремниевых диодов с быстрым восстановлением обратного сопротивления.

3. Технологии формирования кремниевых диодов с быстрым восстановлением обратного сопротивления.

4. Модели теории протекания, используемые для описания переноса заряда в нанокомпозитах.

5. Эквивалентные схемы замещения кремниевых диодов, облученных высокоэнергетическими тяжелыми ионами.

6. Радиационные дефекты, вводимые в кремний при облучении высокоэнергетическими тяжелыми ионами.

7. Импеданс p–n-структур, подвергнутых двойной имплантации высокоэнергетическими ионами гелия.

8. Перенос заряда в кремниевых диодах, облученных альфа частицами.

9. Импеданс МДП- структур, подвергнутых облучению высокоэнергетическими ионами гелия.

Карпович Игорь Александрович, канд. физ.-мат. наук, доцент (к. 119)

1. Разработка устройства климат-контроля на базе микроконтроллера АVR.

2. Управление дискретными сигналами при помощи микроконтроллеров AVR.

3. Система управления «Умный дом» с помощью микроконтроллера AVR.

4. Управление дискретными сигналами при помощи микроконтроллеров AVR

5. Использование информационных технологий в модернизации лабораторной работы по изучению спектра фотопроводимости полупроводников.

6. Автоматизация измерительной установки лабораторной работы «Стабилитроны».

7. Разработка программного обеспечения лабораторной работы «Определение длины диффузии и времени жизни неравновесных носителей заряда методом подвижного светового зонда».

8. Разработка программного обеспечения лабораторной работы «Электролюминесценция полупроводников».

9. Управление мощными нагрузками с помощью микроконтроллеров AVR.

10. Часы-термометр на микроконтроллере ATmega328.

11. Обработка дискретных сигналов с помощью микроконтроллеров АVR.

12. Управление светодиодами с помощью микроконтроллера AVR.

13. Измерение переменного напряжения с помощью микроконтроллера AVR.

14. Измеритель частоты на микроконтроллере AVR.

15. Схема управления шаговыми двигателями с помощью микроконтроллера.

16. Схема управления серводвигателями с помощью микроконтроллера.

Лапчук Наталья Михайловна, канд. физ.-мат. наук, доцент (к. 540)

1. Основные виды парамагнитных дефектов в синтетических алмазах.

2. Оценка формы контура линии электронного парамагнитного резонанса в бурых углях различного генезиса.

3. Парамагнетизм бурых углей, склонных к самовозгоранию.

4. Исследование методом ЭПР ископаемых углей, как природных органических полимеров.

5. Особенности парамагнетизма детонационных наноалмазов высокой степени очистки.

6. Диагностика методом электронного парамагнитного резонанса спеченных при разных давлениях и температурах порошков ДНА.

7. Влияние высокотемпературного отжига на форму контура линии ЭПР порошков детонационного наноалмаза.

8. Влияние имплантации ионов на парамагнетизм полимерных пленок.

9. Влияние толщины пленок полиэтилентерефталата, облучённых ионами сурьмы с энергией 60 кэВ, и дозой 2000 мкКл, на параметры эталонного образца, контролирующего добротность резонатора.

10. Влияние УФ излучения на параметры спектров ЭПР облученной ионами азота и отожженной в процессе БТО пленки диоксида кремния.

11. Времена спин-спиновой и спин-решеточной парамагнитной релаксации в облученных ионами дейтерия с Е = 360 кэВ пленках CVD алмаза.

12. Парамагнетизм образцов пиролитического графита.

13. Влияние условий хранения облученных ионами фосфора и сурьмы пленок ПЭТФ на основные параметры спектров ЭПР.

14. Сравнительный анализ результатов отжига парамагнитных дефектов в интервале температур 400–1000 °C в образцах нейтронно-облученного алмаза и ДНА высокой степени очистки.

15. Влияние условий модификации поверхности кремния на основные параметры спектров ЭПР.

16. Влияние происхождения углеродных материалов (антрацит, графит, алмаз природный, алмаз синтетический) на основные параметры спектров ЭПР.

Сидоренко Юлия Владимировна, канд. физ.-мат. наук, доцент (к. 119)

1. Парамагнитные характеристики композиционных материалов с ультрадисперсными алмазами.

2. Исследование методом ЭПР ультрадисперсных алмазов различной степени агрегации.

3. Парамагнитные характеристики халькопиритов.

Ксеневич Виталий Казимирович, зав. НИЛ физики электронных материалов, канд. физ.-мат. наук, доцент (к. 511)

1. Синтез и структурные свойства плёнок оксидов олова различного фазового состава.

2. Электрические свойства графена.

3. Электрические и магнитные свойства легированных никелем пленок оксидов олова.

4. Чувствительность к влажности нестехиометрических пленок диоксида олова.

5. Электропроводность и магнитные свойства пленок оксидов олова.

6. Механизмы электропроводности в разупорядоченных и гетерогенных материалах вблизи перехода металл-диэлектрик.

7. Электропроводность и чувствительность к влажности гибридных пленок из углеродных и неорганических нанотрубок.

8. Электрические и оптические свойства легированных и нелегированных плёнок оксидов олова.

Доросинец Владимир Адамович, ведущий научный сотрудник, канд. физ.-мат. наук (к. 511)

1. Механизмы электропроводности в разупорядоченных металлооксидных полупроводниках.

2. Влияние режимов синтеза на механизмы электропроводности пленок SnO2-δ.

Бринкевич Дмитрий Иванович, ведущий научный сотрудник, канд. физ.-мат. наук (к. 530)

1. Методы исследования твердости тонких покрытий.

2. Оптические свойства позитивных фоторезистов.

3. Метод полного внутреннего отражения для исследования полупроводниковых материалов.

4. Методы индентирования для измерения твердости материалов.

5. Измерение микротвердости индентором Виккерса приповерхностных слоев различных материалов.

Янковский Юрий Николаевич, ведущий научный сотрудник, канд. физ.-мат. наук (к. 530)

1. Компьютерная обработка результатов измерений микротвердости полимерных структур.

2. Компьютерное моделирование результатов измерений, полученных с помощью метода микроиндентирования.

Просолович Владислав Савельевич, зав. НИЛ спектроскопии полупроводников, канд. физ.-мат. наук, доцент (к. 238)

1. Методы измерения параметров электрофизических полупроводниковых приборов.

2. Определение коэффициента усиления биполярного транзистора.

3. Влияние технологических примесей на эксплуатационные параметры приборов микроэлектроники.

4. Компьютерная обработка результатов измерения вольт-амперных характеристик.

5. Компьютерная обработка результатов измерения вольт-фарадных характеристик.

Ковалев Александр Игоревич, канд. физ.-мат. наук, доцент (к. 528)

1. Разработка макета монохроматора в видимом диапазоне длин волн.

2. Исследование спектральных характеристик фото- и светодиодов.

3. Блок первичной обработки и регистрации аналоговых сигналов с лабораторных установок.

4. Измерение удельного электрического сопротивления материалов четырехзондовым методом. Автоматизация измерительного процесса.

5. Характеризация полупроводниковых диодов и транзисторов путем измерения вольт-амперных характеристик.

6. Реализация на базе платформы ARDUINO UNO алгоритма распознавания цвета.

7. Разработка и исследование повышающего DC–DC преобразователя.

8. Исследование температурной зависимости параметров p–n-перехода.
   Создание термосенсора на его основе.

9. Разработка и исследование многоступенчатой планетарной передачи как основы для создания роботизированного манипулятора.

10. Разработка блока управления установкой для изучения эффекта Доплера.